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龙图腾网获悉苏州东微半导体股份有限公司申请的专利IGBT器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116936626B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210366889.X，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权IGBT器件及其制造方法是由范让萱;缪进征;王鹏飞;刘磊;龚轶设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供的一种IGBT器件，包括n型半导体层，在所述n型半导体层内形成的：p型集电极区；位于所述p型集电极区之上的n型场截止区；位于所述n型场截止区之上的n型漂移区；延伸入所述n型漂移区内的若干个沟槽，所述沟槽包括上部的第一沟槽和下部的第二沟槽，所述第一沟槽的宽度大于所述第二沟槽的宽度；位于所述第二沟槽内的p型柱；位于所述第一沟槽内且位于所述p型柱上方的绝缘介质层；位于所述第一沟槽内且靠近所述第一沟槽的侧壁位置处的栅氧化层和栅极；位于相邻的所述第一沟槽之间的p型体区，位于所述p型体区内的n型发射极区；位于所述p型体区下方且位于相邻的所述沟槽之间的n型电荷存储区。

本发明授权IGBT器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种IGBT器件的制造方法，其特征在于，包括： 在提供的n型半导体层上形成硬掩膜层，通过光刻工艺定义出沟槽的位置，对所述硬掩膜层进行刻蚀将所述n型半导体层暴露出来； 以所述硬掩膜层为掩膜，对所述n型半导体层进行各向异性刻蚀和各向同性刻蚀，在所述n型半导体层内形成第一沟槽； 以所述硬掩膜层为掩膜，通过所述第一沟槽对所述n型半导体层进行n型离子注入并退火，在所述n型半导体层内形成位于所述第一沟槽底部的n型电荷存储区； 在所述第一沟槽的表面形成栅氧化层； 形成栅极多晶硅层并以所述硬掩膜层为掩膜对所述栅极多晶硅层进行回刻，在所述第一沟槽的侧壁位置处形成栅极； 在所述栅极的表面形成保护氧化层； 以所述硬掩膜层为掩膜刻蚀掉所述第一沟槽底部的栅氧化层，并继续对所述n型半导体层进行刻蚀，在所述第一沟槽下方形成第二沟槽； 进行p型多晶硅外延生长并以所述硬掩膜层为掩膜对所述p型多晶硅进行回刻，在所述第二沟槽内形成p型柱； 淀积形成绝缘层并以所述硬掩膜层为掩膜对所述绝缘层进行回刻，在所述第一沟槽内形成位于所述p型柱上方的绝缘介质层； 刻蚀掉所述硬掩膜层，在所述n型半导体层内形成p型体区，在所述p型体区内形成n型发射极区。

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