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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种AlN超声波传感器、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116988008B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310837395.X，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权一种AlN超声波传感器、制备方法及其应用是由许畅;佩列诺维奇·瓦西里·奥列戈维奇;曾晓梅;杨兵;雷燕;张翔宇;姜杨慧;刘杰;张俊;黄家辉设计研发完成，并于2023-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlN超声波传感器、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AlN超声波的传感器、制备方法及其应用，所述制备方法包括，包括，步骤一：先采用砂纸打磨衬底，获得粗质表面，再采用离子束刻蚀方式进行清洁得到预处理的衬底；步骤二：使用磁控溅射法，开始沉积时腔内氧含量为1.26×10‑3Pa～1.89×10‑3Pa，调整沉积参数在预处理的衬底表面依次形成AlON非晶涂层和AlN压电涂层，所述参数包括轴向距离、靶基距离、射频功率、环境温度、腔内气压、ArN2的流量比和沉积时间中的至少一种；步骤三：在AlN压电涂层表面制备电极层，得到AlN超声波传感器。本发明通过调控靶基距离和轴向距离共同作用，以获得沿不同方向生长的压电涂层，进而调控纵横波的能量占比，还能通过调控其它工艺参数，调控纵波、横波的信号幅值。

本发明授权一种AlN超声波传感器、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种AlN超声波传感器的制备方法，其特征在于，包括， 步骤一：衬底前期准备：先采用砂纸打磨衬底，获得粗质表面，再采用离子束刻蚀方式进行清洁得到预处理的衬底； 步骤二：沉积AlON非晶涂层和AlN压电涂层：使用磁控溅射法，开始沉积时腔内氧含量为1.26×10-3Pa~1.89×10-3Pa，调整沉积参数在预处理的衬底表面依次形成AlON非晶涂层和AlN压电涂层，所述参数包括轴向距离、靶基距离、射频功率、环境温度、腔内气压、ArN2的流量比和沉积时间中的至少一种；所述轴向距离为衬底距离溅射中心的距离，所述AlON非晶涂层的厚度为0.5~5μm，所述AlN压电涂层为柱状晶且厚度为2~20μm； 步骤三：在AlN压电涂层表面制备电极层；还在带有AlN压电涂层的衬底的背面使用第二沉积法制备保护层得到AlN超声波传感器。

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