上海应用技术大学卢建宁获国家专利权
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龙图腾网获悉上海应用技术大学申请的专利一种过渡性膜层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116988040B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310708393.0，技术领域涉及：C23C16/14；该发明授权一种过渡性膜层及其制备方法是由卢建宁设计研发完成，并于2023-06-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种过渡性膜层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种过渡性膜层及其制备方法，过渡性膜层生长于底层镀膜基材上，所述过渡性膜层为所述底层镀膜基材与上层目标膜层的过渡层，所述过渡性膜层为铁基膜。本发明通过在不兼容的底层镀膜基材和上层目标膜层之间引入中间过渡性膜层，利用过渡性膜层和底层镀膜基材以及上层目标膜层均兼容的特点，克服了上层目标膜层在这些底层镀膜基材上生长不良的问题，解决了现有技术中在高铝、高镍、高铜等基材上进行硅材膜镀膜时，硅材膜生长不良的问题。
本发明授权一种过渡性膜层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种过渡性膜层的制备方法，其特征在于，包括：将无水氯化铁气化生成铁沉积于底层镀膜基材上形成铁基膜，所述铁基膜的厚度为纳米级厚度； 具体的，包括以下步骤： S1、将无水氯化铁置于密闭容器中，抽真空； S2、加热密闭容器至200~250℃使无水氯化铁升华，通入H2载体气至压力为1~2个大气压，所述H2载体气为掺杂有体积分数0.1~0.5%NH3的高纯H2； S3、H2载体气将氯化铁蒸气引入含底层镀膜基材的真空反应炉中，在350~1000℃下反应； 所述过渡性膜层生长于底层镀膜基材上，所述过渡性膜层为所述底层镀膜基材与上层目标膜层的过渡层，所述过渡性膜层为铁基膜；所述上层目标膜层为硅材膜；所述底层镀膜基材为硅材膜不兼容基材，包括铝或铜；所述硅材膜为通过化学气相沉积在基材表面生成的以硅元素为主体，以氢、氧、碳、氮、磷、氟、氯元素中的一种或几种为客体，生成的具无定形或结晶结构的膜层。
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