长飞光纤光缆股份有限公司;湖北光谷实验室蓝碧蛟获国家专利权
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龙图腾网获悉长飞光纤光缆股份有限公司;湖北光谷实验室申请的专利半导体稀土掺杂玻璃复合光纤及其预制棒、制备方法与应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117023998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310857391.8,技术领域涉及:C03C13/04;该发明授权半导体稀土掺杂玻璃复合光纤及其预制棒、制备方法与应用是由蓝碧蛟;钟力;汪松;杨晨;罗杰设计研发完成,并于2023-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体稀土掺杂玻璃复合光纤及其预制棒、制备方法与应用在说明书摘要公布了:本发明公开了半导体稀土掺杂玻璃复合光纤及其预制棒、制备方法与应用,属于复合光纤技术领域,其包括由内之外依次设置的稀土掺杂纤芯、石英内包层、半导体掺杂层和石英外包层,利用稀土掺杂纤芯中稀土离子和共掺物质的组合设置,以及半导体掺杂层中半导体材料的对应设置,使得复合光纤既具备稀土掺杂光纤的增益功能,又能兼具半导体光纤的传感功能。本发明的半导体稀土掺杂玻璃复合光纤,能够实现稀土材料与半导体材料在光纤中的可靠复合,使得光纤既具备增益功能,又能满足热电、压电或者光电转换的需求,有效提升复合光纤的功能性,提升复合光纤对环境条件变化的感应能力并提高其响应的速率,从而提升复合光纤的功能性,具有较好的实用价值。
本发明授权半导体稀土掺杂玻璃复合光纤及其预制棒、制备方法与应用在权利要求书中公布了:1.一种半导体稀土掺杂玻璃复合光纤,其特征在于,包括由内至外依次设置的稀土掺杂纤芯、石英内包层、半导体掺杂层和石英外包层; 所述稀土掺杂纤芯中掺杂有稀土离子和共掺物质,除稀土掺杂物质和共掺物质外,其余物质为SiO2;所述稀土离子为Er3+、Yb3+、Tm3+和Ho3+中的一种或多种;所述共掺物质为Al2O3、P2O5、CeO2中的一种或多种;且所述稀土离子的百分比浓度范围为:Yb2O3:0.2~1.4mol%;Er2O3:0.02~0.1mol%;Tm2O3:0.05~0.5mol%;Ho2O3:0.02~0.1mol%;所述共掺物质的百分比浓度范围为:Al2O3:1~10mol%;P2O5:1~13mol%;CeO2:1~6mol%; 形成所述半导体掺杂层的半导体材料为压电半导体、热电半导体或者光电半导体材料;以及 所述半导体掺杂层的折射率大于稀土掺杂纤芯的折射率,而稀土掺杂纤芯的折射率大于石英内包层和石英外包层的折射率;且所述石英内包层的外径为所述稀土掺杂纤芯外径的3~8倍;且所述半导体掺杂层的宽度与所述稀土掺杂纤芯外径的比例为1:3~4:1。
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