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龙图腾网获悉西北工业大学申请的专利一种梯度分布高熵陶瓷-SiC改性C/C复合材料及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117142870B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311074731.6，技术领域涉及：C04B35/83；该发明授权一种梯度分布高熵陶瓷-SiC改性C/C复合材料及制备方法是由张雨雷;赵俊浩;付艳芹;曹毅;李伟;李雪设计研发完成，并于2023-08-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种梯度分布高熵陶瓷-SiC改性C/C复合材料及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种梯度分布高熵陶瓷‑SiC改性CC复合材料及制备方法，通过控制模具内径及抽滤次数共同实现对中心区、过渡区及边缘区的异相陶瓷双梯度改性，中心区及过渡区分别进行了不同次数的选区抽滤改性循环，由于毛细作用的影响，边缘区的陶瓷由中心区和过渡区液态前驱体向周围适当扩散得到，在此基础上通过对整体试样引入的SiC也会按照梯度方式填充残余的梯度孔洞。采用选区抽滤改性法结合前驱体浸渍裂解法，可根据服役环境调整不同区域陶瓷的种类及含量，设计不同区域材料的性能。

本发明授权一种梯度分布高熵陶瓷-SiC改性C/C复合材料及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种梯度分布高熵陶瓷-SiC改性CC复合材料的制备方法，其特征在于：所述高熵陶瓷为Ti0.2Zr0.2Hf0.2Nb0.2Ta0.2C，制备步骤如下： 步骤1：采用选区抽滤装置向低密度CC中心区引入Ti0.2Zr0.2Hf0.2Nb0.2Ta0.2C液态前驱体，并置于80~100℃的烘箱中烘干10~20h； 重复本步骤1为3~5次； 步骤2：将烘干的材料放入石墨坩埚并置于热处理炉中，在Ar保护下将炉温升至1700~2100℃并保温2~3h，保温结束后关闭电源，等待热处理炉自然降温； 重复步骤1~步骤2为4~7次； 步骤3：改变选区抽滤装置的模具内径，重复步骤1和步骤2，直至材料中心区的质量增重不超过4%，即完成中心区、过渡区及边缘区不同含量陶瓷的引入； 步骤4：将完成上述步骤的材料整体浸渍于聚碳硅烷液态前驱体中，置于真空箱内，利用真空泵将腔体内部真空度控制在≤-0.07MPa，设备保持真空20~40min；将样品置于80~100℃的烘箱中烘干10~20h； 重复本步骤3~5次后； 步骤5：将烘干的材料放入方舟并置于管式炉中，在Ar保护下将炉温升至1300~1500℃并保温2~3h，保温结束后关闭电源，等待热处理炉自然降温； 步骤6：重复步骤4和步骤5多次，直至材料质量增重不超过4%； 步骤7：通过等温化学气相渗积工艺对异相陶瓷双梯度改性的CC复合材料进行致密化及封孔，完成梯度分布Ti0.2Zr0.2Hf0.2Nb0.2Ta0.2C-SiC改性CC复合材料的制备； 所述步骤1的选区抽滤装置的模具内径为7~12mm，通过改变模具形状控制超高温陶瓷在材料内部的梯度分布； 所述步骤3的选区抽滤装置的模具内径为17~22mm，利用模具内径及浸渍次数的配合共同实现对中心区、过渡区及边缘区的不同陶瓷含量改性； 所述步骤1低密度CC的密度为0.7~1.2gcm3； 制得的材料内部Ti0.2Zr0.2Hf0.2Nb0.2Ta0.2C的含量从中心向边缘逐渐减少，而SiC含量递增； 所述步骤1和步骤4的液态前驱体为液相陶瓷前驱体或固态前驱体与有机溶液的混合物。

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