拓荆科技(上海)有限公司王政获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆科技(上海)有限公司申请的专利一种化学源的导入系统和导入方法及薄膜沉积设备获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117210799B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311169710.2,技术领域涉及:C23C16/455;该发明授权一种化学源的导入系统和导入方法及薄膜沉积设备是由王政;柴雪;李晶;刘佳臻设计研发完成,并于2023-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化学源的导入系统和导入方法及薄膜沉积设备在说明书摘要公布了:本发明公开了一种化学源的导入系统及导入方法和薄膜沉积设备。导入系统包括:化学源腔,其内部存储液态化学源;第一管路,一端连接化学源腔,向化学源腔内通入载气;第二管路,一端连接化学源腔,另一端连接反应腔,以将液态化学源经由载气传送到反应腔内进行沉积反应,导入系统还包括:第三管路组,包括第三主管路和第三支路,第三支路连通第一管路、第二管路以及第三主管路,并且第三主管路内持续流通吹扫气体,以在向反应腔送入携带液态化学源的载气后,使得继续通入的载气经由第三支路进入第三主管路,并被吹扫气体顶出第三主管路。本发明能够提高化学源反应物比例,提升沉积反应的沉积速率,减少颗粒并改善颗粒稳定性,获得更佳的工艺表现。
本发明授权一种化学源的导入系统和导入方法及薄膜沉积设备在权利要求书中公布了:1.一种化学源的导入方法,经由化学源的导入系统的实施,其中,所述导入系统包括:化学源腔、第一管路、第二管路及第三管路组,其中,所述化学源腔内部存储液态化学源,包括第一化学源和第二化学源,所述第一管路的一端连接所述化学源腔,所述第二管路的一端连接所述化学源腔,而且另一端连接反应腔,所述第三管路组包括第三主管路和第三支路,所述第三支路连通所述第一管路、所述第二管路以及所述第三主管路,并且所述第三主管路内持续流通吹扫气体,以在向所述反应腔送入携带液态化学源的载气后,使得继续通入的所述载气经由所述第三支路进入所述第三主管路,并被所述吹扫气体顶出所述第三主管路,所述导入方法包括以下步骤: 通过第一管路向化学源腔通入载气,其中,所述化学源腔中存有第一化学源; 将携带所述第一化学源的所述载气经由通过第二管路通入反应腔; 响应于执行完ALD循环的第一步之后,继续通入所述载气,并改变所述载气的流通路径,使其经由第三管路组流向外部,以保持所述反应腔内的气体分压;以及 向所述反应腔通入第二化学源,以与所述第一化学源进行化学反应。
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