先导薄膜材料(淄博)有限公司许健洋获国家专利权
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龙图腾网获悉先导薄膜材料(淄博)有限公司申请的专利一种未完全烧结的氧化锆陶瓷板及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117263717B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311254817.7,技术领域涉及:C04B38/06;该发明授权一种未完全烧结的氧化锆陶瓷板及其制备方法是由许健洋;王云;陈文英;王权龙;朱明敏;罗贤科;卞浩东;童培云设计研发完成,并于2023-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种未完全烧结的氧化锆陶瓷板及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种未完全烧结的氧化锆陶瓷板的制备方法,属于陶瓷材料技术领域,所述的未完全烧结的氧化锆陶瓷板的制备方法,包括以下步骤:1将氧化钇掺杂氧化锆粉、溶剂、分散剂、增塑剂、粘结剂混合均匀,得到浆料;2将浆料球磨、脱泡;3将脱泡后的浆料进行流延,等静压,得到生胚;4将生坯进行堆叠,排胶,得到坯体;5将坯体进行烧结得到氧化锆陶瓷板;本发明所制备得到的氧化锆陶瓷板未完全烧结,晶粒较为松散,孔洞较多,利于电解质片产品的排胶,同时具备较好的强度和硬度,不易损坏,利于搬运和储存,且可重复使用,降低成本。
本发明授权一种未完全烧结的氧化锆陶瓷板及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种未完全烧结的氧化锆陶瓷板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 1将氧化钇掺杂氧化锆粉、溶剂、分散剂、增塑剂、粘结剂混合均匀,得到浆料; 2将浆料球磨、脱泡; 3将脱泡后的浆料进行流延,等静压,得到生胚; 4将生坯进行堆叠,排胶,得到坯体; 5将坯体进行先于780~820℃下烧结480~720min,再于第一温度下烧结450~600min,然后于第二温度下烧结180~360min,最后于950~1050℃下烧结180~240min,得到氧化锆陶瓷板; 所述第一温度为1200~1300℃,所述第二温度为1200~1300℃,所述第一温度小于第二温度; 所述排胶具体为:先将堆叠后的生坯先于250~300℃下排胶200~400min,再于第三温度下排胶180~240min,最后于第四温度下排胶180~360min;所述第三温度为350~400℃,所述第四温度为350~400℃,所述第三温度小于第四温度; 所述的氧化锆陶瓷板作为SOFC电解质片烧结的垫片使用。
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