安华高科技股份有限公司R·德罗齐埃获国家专利权
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龙图腾网获悉安华高科技股份有限公司申请的专利集成电路及具有集成电路的系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117334690B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310517698.3，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权集成电路及具有集成电路的系统是由R·德罗齐埃;J·阿克曼;M·鲁斯福德设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路及具有集成电路的系统在说明书摘要公布了：本公开涉及一种具有电流感测功能性的集成电阻器的布局。一或多种布局技术可用于平衡电流感测电路。所述电流感测电路可包含由多晶硅材料形成的放大器的上层电阻器。所述上层电阻器可关于一或多个应力梯度对称布置以提高所述电流感测电路的准确度。所述应力梯度可包含关于轴线的应力梯度及相对于裸片边缘的应力梯度。
本发明授权集成电路及具有集成电路的系统在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，其包括： 第一电路，其包含第一放大器、第一电阻器、第二电阻器、第三电阻器、第四电阻器及第五电阻器；其中所述第一电阻器具有第一电阻Rs；其中所述第二电阻器及所述第三电阻器各自具有第二电阻Rt；其中所述第四电阻器及所述第五电阻器各自具有第三电阻Rb；其中所述第一电阻器经配置以载送第一电流Isns，所述第一电流Isns是基于所述第一电阻Rs及第一电压Vrect与第二电压Vmid之间的电压差；其中所述第一放大器经配置以基于所述第一电流Isns输出第三电压Vo；其中所述第一放大器的增益是基于所述第二电阻Rt及所述第三电阻Rb； 其中所述第一电阻器由第一多个多晶硅片形成；其中所述第二电阻器由第二多个多晶硅片形成；其中所述第三电阻器由第三多个多晶硅片形成；其中所述第一多个多晶硅片、所述第二多个多晶硅片及所述第三多个多晶硅片安置于所述集成电路的层上；其中所述第二多个多晶硅片关于轴线相对于所述第三多个多晶硅片对称布置以减小所述第二多个多晶硅片与所述第三多个多晶硅片之间的应力差。
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