北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司尤悦获国家专利权
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龙图腾网获悉北京天科合达半导体股份有限公司;新疆天科合达蓝光半导体有限公司申请的专利一种高纯碳化硅粉料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117342561B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311294733.6，技术领域涉及：C01B32/984；该发明授权一种高纯碳化硅粉料的制备方法是由尤悦;娄艳芳;刘春俊;刘强;杨帆;王宝良;彭同华;杨建设计研发完成，并于2023-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高纯碳化硅粉料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高纯碳化硅粉料的制备方法。与现有技术相比，本发明通过在打孔石墨圆筒内将碳硅混合原料进行高温固相反应即可得到高纯碳化硅粉末，同时可通过调控打孔石墨圆筒的孔洞使合成过程中碳硅原料具有方向性，从而得到粒径可控且分布均匀的高纯碳化硅粉料；并且该方法无需进行破碎筛分等步骤，即可得到所需粒径大小的碳化硅粉料，避免破碎过程中引入杂质元素，提高了碳化硅粉料的纯度，减少了工艺的复杂性，反应过程稳定，提高了制备效果，降低了生产成本。
本发明授权一种高纯碳化硅粉料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高纯碳化硅粉料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1将碳粉与硅粉混合，得到碳硅混合原料； S2将多个打孔石墨圆筒与碳硅混合原料沿坩埚直径方向交替放置于坩埚内，进行高真空热处理和惰性气体清洗，然后通入惰性气体，在高温高压条件下进行反应，得到高纯碳化硅粉料；所述打孔石墨圆筒的侧壁设置有多个贯穿的孔洞； 所述孔洞的孔径为2～5mm；相邻孔洞之间的距离为1～3mm； 所述孔洞的分布密度为30％～60％。
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