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龙图腾网获悉重庆伟特森电子科技有限公司申请的专利一种制备厚边薄片六方晶系碳化硅晶圆的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117410172B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311151205.5，技术领域涉及：H01L21/268；该发明授权一种制备厚边薄片六方晶系碳化硅晶圆的方法是由刘敏;何志设计研发完成，并于2023-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备厚边薄片六方晶系碳化硅晶圆的方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，公开了一种制备厚边薄片六方晶系碳化硅晶圆的方法，其包括以下步骤：步骤S1，将晶圆划分为厚边区域和减薄区域，将激光从减薄区域的硅面0001或者碳面000‑1表面入射，精确聚焦到减薄区域需要减薄的深度，在需要减薄的深度位置形成一层缺陷裂纹聚集层；步骤S2，沿厚边区域和减薄区域交界处进行竖向切割，并切割到缺陷裂纹聚集层所在的深度，形成隔离沟槽；步骤S3，将晶圆分为保留部分和去除部分；步骤S4，对保留部分的凹形面进行侧面和平面抛光；步骤S5，对步骤S4的凹形面加工，形成多重台阶。本发明通过保留边缘厚边结构，大大提高了薄片碳化硅晶圆的机械强度，有助于降低晶圆后续工艺的碎片风险。

本发明授权一种制备厚边薄片六方晶系碳化硅晶圆的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备厚边薄片六方晶系碳化硅晶圆的方法，其特征在于，具体包括以下步骤： 步骤S1，将碳化硅晶圆1划分为厚边区域101和减薄区域102，将激光从减薄区域102的硅面0001或者碳面000-1表面入射，精确聚焦到减薄区域102需要减薄的深度，在需要减薄的深度位置形成一层缺陷裂纹聚集层2； 步骤S2，沿厚边区域101和减薄区域102交界处进行竖向切割，并切割到缺陷裂纹聚集层2所在的深度，形成隔离沟槽3； 步骤S3，将碳化硅晶圆1分为保留部分和去除部分； 步骤S4，对保留部分的凹形面进行侧面和平面抛光； 步骤S5，对步骤S4的凹形面加工，形成多重台阶； 在步骤S1中，厚边区域101的宽度为4mm； 在步骤S2中，隔离沟槽3垂直于碳化硅晶圆1表面或向碳化硅晶圆1外围倾斜；当隔离沟槽3向碳化硅晶圆1外围倾斜时，隔离沟槽3壁与碳化硅晶圆1水平面的夹角为α，且夹角α为60°； 在步骤S3中，将碳化硅晶圆1分为保留部分和去除部分的方法为裂纹扩展法，且具体步骤为：通过退火激光束9的方式对碳化硅晶圆1进行退火加热，激光扫描缺陷所在区域，使碳化硅晶圆1内部形成温度梯度场12，退火激光束9退火的温度为100-2000℃，形成的温度梯度为1-100℃μm，进而形成应力场，使得碳化硅晶圆1内部的裂纹沿着缺陷所在平面进行延展，便于碳化硅晶圆1上下两部分从缺陷所在平面剥离开来。

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