上海维安半导体有限公司丁子翔获国家专利权
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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种降低压降状态静态功耗的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117590887B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311583676.3，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种降低压降状态静态功耗的电路是由丁子翔;徐耀博;张伟;姚和平;苏海伟设计研发完成，并于2023-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种降低压降状态静态功耗的电路在说明书摘要公布了：本发明提供一种降低压降状态静态功耗的电路，应用于低压差线性稳压器，包括一功率管，功率管用以在一栅极控制信号作用下对输入信号进行调节和稳压，以产生输出信号；电路包括：调整单元，用于在输入信号的第一分压信号高于一基准信号时，在输出信号作用下对输入信号的第二分压信号进行处理，产生一低于输出信号的第一信号；第一比较单元，连接调整单元，用于对第一信号和输出信号进行比较，产生一第一比较信号；控制单元，连接第一比较单元，用于在第一比较信号作用下产生一控制信号，以根据控制信号拉高栅极控制信号的电压。有益效果：减小LDO处于压降区的功耗，延长电池使用时间，具有结构简单、成本低的特点。
本发明授权一种降低压降状态静态功耗的电路在权利要求书中公布了：1.一种降低压降状态静态功耗的电路，其特征在于，应用于低压差线性稳压器，所述低压差线性稳压器包括一功率管，所述功率管用以在一栅极控制信号作用下对输入信号进行调节和稳压，以产生输出信号； 所述电路包括： 调整单元，用于在所述输入信号的第一分压信号低于一基准信号时，在所述输出信号作用下对所述输入信号的第二分压信号进行处理，产生一低于所述输出信号的第一信号； 第一比较单元，连接所述调整单元，用于对所述第一信号和所述输出信号进行比较，产生一第一比较信号； 控制单元，连接所述第一比较单元，用于在所述第一比较信号作用下产生一控制信号，以根据所述控制信号拉高所述栅极控制信号的电压。
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