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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种单片集成半桥电路结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117637817B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311696494.7，技术领域涉及：H10D62/17；该发明授权一种单片集成半桥电路结构及其制备方法是由张建华;宋世平;任开琳;殷录桥;陆文庆设计研发完成，并于2023-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片集成半桥电路结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单片集成半桥电路结构及其制备方法，涉及单片集成半桥电路技术领域。方法包括：钝化层和设置有沟槽的基体；钝化层设置于基体的上表面；且沟槽内填充有钝化层；基体包括自下而上依次设置的衬底电极、第一P+衬底层、N‑衬底层、第二P+衬底层、缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层；第一P+衬底层和N‑衬底层形成第一PN结；N‑衬底层和第二P+衬底层形成第二PN结；沟槽贯穿于AlGaN势垒层、GaN沟道层、缓冲层和第二P+衬底层，且沟槽的底部位于N‑衬底层的内部。本发明通过设置第一P+衬底层、N‑衬底层、第二P+衬底层和沟槽形成双PN结衬底能够降低对衬底电位的依赖性，完成高边管和低边管的隔离。

本发明授权一种单片集成半桥电路结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成半桥电路结构，其特征在于，包括：钝化层和设置有沟槽的基体； 所述沟槽设置于所述基体内；所述钝化层设置于所述基体的上表面和所述沟槽内； 所述基体包括自下而上依次设置的衬底电极、第一P+衬底层、N-衬底层、第二P+衬底层、缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层； 所述第一P+衬底层和所述N-衬底层形成第一PN结； 所述N-衬底层和所述第二P+衬底层形成第二PN结； 所述沟槽贯穿于所述AlGaN势垒层、所述GaN沟道层、所述缓冲层和所述第二P+衬底层，且所述沟槽的底部位于所述N-衬底层的内部； 所述沟槽的一侧设置有高边电极组；所述沟槽的另一侧设置有低边电极组；所述高边电极组和低边电极组均包括：衬底极、源极、栅极组件和漏极； 所述源极、所述栅极组件和所述漏极均嵌设于所述钝化层内与所述AlGaN势垒层的上表面接触； 所述衬底极通过衬底极孔嵌设于所述钝化层和所述基体上； 所述衬底极孔贯穿于所述钝化层、所述AlGaN势垒层、所述GaN沟道层和所述缓冲层；且所述衬底极孔的底部位于所述第二P+衬底层的内部； 所述高边电极组中的漏极与电源连接； 所述高边电极组中的衬底极和所述低边电极组中的漏极均与所述高边电极组中的源极连接； 所述低边电极组中的衬底极和所述低边电极组中的源极均接地； 所述衬底电极的电位范围为0～Vin。

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