昆明理工大学孟彬获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种A、B位共掺杂的BaTiO3基高熵介电薄膜及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117756171B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311781791.1,技术领域涉及:C01G23/00;该发明授权一种A、B位共掺杂的BaTiO3基高熵介电薄膜及其制备方法是由孟彬;马志远;平鑫宇;房聪聪;潘晓宇设计研发完成,并于2023-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种A、B位共掺杂的BaTiO3基高熵介电薄膜及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种A、B位共掺杂的BaTiO3基高熵介电薄膜及其制备方法,涉及介电陶瓷电容器领域。本发明A、B位共掺杂的BaTiO3基高熵介电薄膜的结构式为Ba0.2Sr0.2Na0.2Ca0.2La0.2ZrxTi1‑xO3,其中x=0.05~0.2。本发明通过在高熵介电薄膜中引入一定浓度的Zr4+,从而改善了BaTiO3薄膜材料的介电储能性能,最终得到了晶粒细小、可恢复能量密度高、介电常数稳定以及具有单相晶体结构的BaTiO3基高熵介电薄膜材料。
本发明授权一种A、B位共掺杂的BaTiO3基高熵介电薄膜及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种A、B位共掺杂的BaTiO3基高熵介电薄膜,其特征在于,所述高熵介电薄膜的结构式如下: Ba0.2Sr0.2Na0.2Ca0.2La0.2ZrxTi1-xO3,其中x=0.05~0.2; 所述A、B位共掺杂的BaTiO3基高熵介电薄膜的制备方法,包括以下步骤: 1制备复合醋酸盐溶液: 所述复合醋酸盐溶液是利用乙酸钡、乙酸锶、乙酸钠、乙酸钙、乙酸镧和冰醋酸配制而成; 所述复合醋酸盐溶液中乙酸钡、乙酸锶、乙酸钠、乙酸钙和乙酸镧的浓度均为0.1molL; 2制备正丁醇锆钛酸四丁酯混合溶液: 所述正丁醇锆钛酸四丁酯混合溶液是利用正丁醇锆、钛酸四丁酯和乙二醇甲醚配制而成; 所述正丁醇锆钛酸四丁酯混合溶液中正丁醇锆质量浓度为0.015molL~0.1molL,钛酸四丁酯的质量浓度为0.4molL~0.475molL; 3将步骤1所述复合醋酸盐溶液和步骤2所述正丁醇锆钛酸四丁酯混合溶液等体积混合均匀后得到混合溶液; 4在步骤3所述混合溶液中加入乙酰丙酮,搅拌静置后形成前驱体溶胶; 5将Pt111TiSiO2Si基片置于无水乙醇中超声清洗,晾干后备用; 6将所述前驱体溶胶旋涂在清洗后的Pt111TiSiO2Si基片表面,所述前驱体溶胶的滴加量为0.05gcm2~0.1gcm2得到单层高熵薄膜湿膜; 7将所述单层高熵薄膜湿膜依次进行干燥、热解、预烧后得到单层高熵薄膜; 8重复步骤6和步骤7,得到多层高熵薄膜,最后进行烧结,得到A、B位共掺杂的BaTiO3基高熵介电薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人昆明理工大学,其通讯地址为:650000 云南省昆明市呈贡区景明南路727号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励