航天特种材料及工艺技术研究所冯士杰获国家专利权
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龙图腾网获悉航天特种材料及工艺技术研究所申请的专利一种梯度超高温陶瓷基复合材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117756554B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211175818.8，技术领域涉及：C04B41/88；该发明授权一种梯度超高温陶瓷基复合材料及其制备方法是由冯士杰;张宝鹏;宋环君;杨良伟;孙娅楠;陈昊然;杨小健;李晓东;刘伟;于新民;刘俊鹏设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种梯度超高温陶瓷基复合材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种梯度超高温陶瓷基复合材料及其制备方法。所述方法采用反应熔渗工艺对多孔低密度CC基材进行单向高温反应熔渗，所述方法首先将硅锆或硅铪二元合金渗剂平铺于坩埚底部，然后将多孔低密度CC基材放置于渗剂上方，在多孔低密度CC基材毛细作用力下进行单向熔渗。本发明制备的超高温陶瓷基复合材料中高熔点基体组元ZrC、HfC由下往上呈梯度分布，高熔点基体组元ZrC、HfC含量高的一侧具有良好的抗氧化烧蚀性能，同时，相对分子量较小的SiC又能够减轻整体材料的重量，从而达到抗氧化烧蚀与轻量化的双重效果。
本发明授权一种梯度超高温陶瓷基复合材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种梯度超高温陶瓷基复合材料的制备方法，其特征在于：采用反应熔渗工艺对多孔低密度CC基材进行单向高温反应熔渗，得到梯度超高温陶瓷基复合材料；所述采用反应熔渗工艺对多孔低密度CC基材进行单向高温反应熔渗，包括：首先将硅锆或硅铪二元合金渗剂平铺于坩埚底部，然后将多孔低密度CC基材放置于渗剂上方，在多孔低密度CC基材毛细作用力下进行单向熔渗；硅锆合金渗剂中锆的原子量分数为15～25％，硅铪合金渗剂中铪的原子量分数为15～31％；在硅锆或硅铪二元合金的熔化过程中成分变化的渗剂熔体通过毛细作用进行单向熔渗，使高熔点基体组元ZrC或HfC由下往上呈梯度分布，高熔点基体组元ZrC、HfC含量高的一侧具有良好的抗氧化烧蚀性能，同时，通过相对分子量较小的SiC减轻整体材料的重量。
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