广西晶联光电材料有限责任公司陆映东获国家专利权
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龙图腾网获悉广西晶联光电材料有限责任公司申请的专利一种高密度低铟含量ITO靶材的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118084480B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410228778.1，技术领域涉及：C04B35/453；该发明授权一种高密度低铟含量ITO靶材的制备方法是由陆映东;梁盈祥;宋春华;黄誓成;张倍维;黄作;莫斌;陆岱骏;覃丽莉设计研发完成，并于2024-02-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高密度低铟含量ITO靶材的制备方法在说明书摘要公布了：一种高密度低铟含量ITO靶材的制备方法，包括以下步骤：1将氧化铟和氧化锡微纳米粉体按铟含量进行配比混合，再加入助烧结剂三氧化二锑，混合研磨均匀，成型得到坯体；2将所得坯体脱脂后进行烧结，制得高密度相对密度≥99.5%，低电阻率≤1×10‑3Ω·cm，低铟含量40.5‑42%的ITO靶材。本发明通过对In4Sn3O2材料进行锡掺杂，进一步降低铟含量，并降低电阻率；通过添加合适比例的助烧剂，进行高温短时间烧结，提高了靶材的相对密度。
本发明授权一种高密度低铟含量ITO靶材的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高密度低铟含量ITO靶材的制备方法，其特征在于：包括以下步骤： 1将氧化铟微纳米粉体和氧化锡微纳米粉体按铟含量质量分数40.5%-42%进行配比混合，然后再加入氧化铟和氧化锡总量2.5%-5%的助烧结剂三氧化二锑，配成质量固含量35%-44%的浆料，混合研磨均匀；成型成相对密度≥53%的坯体； 2将所得坯体脱脂后进行烧结；烧结制程为：先以0.5-2℃分钟升温至1280-1320℃，保温20-40小时，再升温至1630-1650℃，保温3-6小时，然后以2.5-5℃分钟的速率降温至900-1100℃，最后自然随炉降温；过程中，升温至500-600℃时，开始通入氧气，降温至1400-1450℃时，停止供氧；炉温降至室温后，靶材出炉，即得高密度低铟含量的ITO靶材。
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