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龙图腾网获悉安徽微芯长江半导体材料有限公司申请的专利一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118238043B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410529617.6，技术领域涉及：B24B27/033；该发明授权一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置是由曹德坤;江成陈设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置，涉及晶片生长技术领域包括基座，基座上方固定设有载盘，基座后方固定设有驱动座，载盘中部通过支撑柱及多层连接机构安装有放置座，载盘位于放置座两侧固定设有支撑架，支撑架内架设有注液管，驱动座位于载盘一侧设有电机，电机的输出端通过旋转柱安装有旋转盘，旋转盘与放置座的位置相对，旋转盘底部固定设有磨砂轮，旋转盘的侧边通过升降机构安装有向内环绕的清理刷毛。本发明结构简单，针对于以背面镀上金属方式生产的碳化硅晶片，将其上的金属层腐蚀，对腐蚀后的金属层及其所黏连的沉积物扫落，并在金属层腐蚀后以打磨的方式对剩余沉积物清理，极大提高清理速度，适合推广。

本发明授权一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶片生长除背面沉积物装置，包括基座1，所述基座1上方固定设有载盘2，所述基座1后方固定设有驱动座3，其特征在于，所述载盘2中部通过支撑柱13及多层连接机构安装有放置座5，所述载盘2位于放置座5两侧固定设有支撑架6，所述支撑架6内架设有注液管28，所述注液管28的开口处位于放置座5侧壁； 所述驱动座3位于载盘2一侧设有升降架4，所述升降架4通过固定环8固定设有电机9，所述电机9的输出端通过旋转柱19安装有旋转盘10，所述旋转盘10与放置座5的位置相对，所述旋转盘10底部固定设有磨砂轮12，所述旋转盘10的侧边通过升降机构安装有向内环绕的清理刷毛11； 所述旋转盘10侧边设有相对称的第一夹槽20，所述旋转盘10侧边环绕设有上升降环22，所述上升降环22的内壁卡在第一夹槽20内，且其上表面固定连接有位于第一夹槽20内的第一弹簧21，所述旋转盘10位于上升降环22环绕有下升降环24，所述旋转盘10位于下升降环24下方设有相对称的侧边卡槽23，所述下升降环24下方位于侧边卡槽23处固定设有延伸架25，所述延伸架25位于侧边卡槽23处与其滑动相连，所述延伸架25位于侧边卡槽23下方形成向外延伸之后再向下延伸的支撑，所述延伸架25的下端固定设有安装环26，所述清理刷毛11固定在安装环26的内壁； 所述支撑柱13上方设有底部盘14，所述支撑柱13插入在底部盘14内，所述底部盘14内部位于支撑柱13处设有圆周阵列的第二夹槽27，所述支撑柱13位于第二夹槽27处固定设有插入第二夹槽27的支撑块36，所述支撑块36上表面固定连接有位于第二夹槽27内的第二弹簧29，所述底部盘14的上边缘处放置有中间环15，所述中间环15上表面贴合在放置座5上； 所述中间环15位于放置座5外的上表面设有毛刷卡槽35，所述毛刷卡槽35的位置与安装环26相对，且其尺寸满足安装环26压入时，清理刷毛11被毛刷卡槽35内壁压弯并朝向上方。

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