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龙图腾网获悉安徽长飞先进半导体有限公司申请的专利一种多级沟槽型功率器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118263287B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410368865.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种多级沟槽型功率器件及其制备方法是由罗成志;伍术;刘红超设计研发完成，并于2024-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多级沟槽型功率器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多级沟槽型功率器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一外延片，外延片包括碳化硅外延层，碳化硅外延层的第一表面包括栅极区域以及位于栅极区域两侧的源极区域；基于栅极沟槽与源极沟槽的预设宽度条件，通过一次光刻工艺，在栅极区域中形成栅极沟槽，且在源极区域中形成包括至少两级沟槽的源极沟槽；于栅极沟槽的底部形成第一耐压掩蔽结构，以及于源极沟槽的底部和两侧形成第二耐压掩蔽结构；其中，第二耐压掩蔽结构为包括至少三级台阶的多级台阶结构；在栅极沟槽中形成栅极结构；在源极沟槽的顶部形成源极。本发明提供的技术方案，在改善了沟槽型功率器件中栅极氧化层易被击穿问题的同时，简化了功率器件的制备过程。

本发明授权一种多级沟槽型功率器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多级沟槽型功率器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供外延片，所述外延片包括碳化硅外延层，所述碳化硅外延层具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括栅极区域以及位于所述栅极区域两侧的源极区域； 基于栅极沟槽与源极沟槽的预设宽度条件，通过一次光刻工艺，在所述栅极区域中形成栅极沟槽，且在所述源极区域中形成源极沟槽；其中，所述源极沟槽为多级沟槽；源极沟槽包括第一级沟槽，栅极沟槽与源极沟槽的预设宽度条件包括：栅极沟槽的宽度小于源极沟槽的第一级沟槽的宽度； 于所述栅极沟槽的底部形成第一耐压掩蔽结构，以及于所述源极沟槽的底部和两侧形成第二耐压掩蔽结构；其中，所述第二耐压掩蔽结构为多级台阶结构； 在所述栅极沟槽中形成栅极结构； 在所述源极沟槽的顶部形成源极； 通过一次光刻工艺，在所述栅极区域中形成栅极沟槽，并在所述源极区域中形成源极沟槽，包括： 在所述碳化硅外延层的第一表面形成掩膜层，基于光刻工艺图案化所述掩膜层； 基于图案化后的掩膜层，刻蚀所述碳化外延层，在所述栅极区域中形成栅极沟槽，并在所述源极区域中形成源极沟槽的第一级沟槽；其中，所述预设宽度条件为所述源极沟槽的第一级沟槽的宽度大于所述栅极沟槽的宽度； 形成牺牲层，基于所述源极沟槽的第一级沟槽的宽度大于所述栅极沟槽的宽度，在所述源极沟槽的第一级沟槽的槽壁形成所述牺牲层，以及在所述栅极沟槽内填充满所述牺牲层；形成所述牺牲层后的所述源极沟槽的第一级沟槽中具有中空区域； 刻蚀位于所述第一级沟槽底部的所述牺牲层，以在所述第一级沟槽底部的所述牺牲层中形成开口； 刻蚀所述开口暴露的所述碳化硅外延层，在所述第一级沟槽的底部形成所述源极沟槽的第二级沟槽；所述源极沟槽为包括第一级沟槽和第二级沟槽的两级沟槽。

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