买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种垂直型薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118280844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410425918.4，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种垂直型薄膜晶体管及其制备方法是由陈龙龙;李喜峰;张建华;彭聪;孙本孝设计研发完成，并于2024-04-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直型薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体显示器件技术领域，具体涉及一种垂直型薄膜晶体管及其制备方法。本发明在Spacer层薄膜图案化处理时，得到第一湿法刻蚀薄膜后，首先通过第一干法刻蚀形成第一干法刻蚀薄膜；然后，对第一湿法刻蚀薄膜进行第二湿法刻蚀，使第一湿法刻蚀薄膜相对于第一干法刻蚀薄膜突出来的部分刻蚀至内缩，形成第二电极，并使第一干法刻蚀薄膜与第二电极接触面祼露出来，解决了第二电极悬空的问题；对第一干法刻蚀薄膜进行第二干法刻蚀，使第一干法刻蚀薄膜祼露部分被刻蚀，经过上述刻蚀工艺之后，垂直沟道侧壁形貌可控制为正的taper角，解决了后续有源层薄膜、栅极绝缘层薄膜、栅极薄膜等薄膜沉积后断线风险，保障了器件的性能。

本发明授权一种垂直型薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直型薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在衬底上制备第一电极薄膜，对所述第一电极薄膜图案化处理得到第一电极，所述第一电极在衬底上的正投影宽度小于衬底的宽度； 依次制备覆盖所述衬底和第一电极的隔离层薄膜和第二电极薄膜，对所述第二电极薄膜光刻后进行第一湿法刻蚀，得到第一湿法刻蚀薄膜；以所述第一湿法刻蚀薄膜为硬掩膜对所述隔离层薄膜进行第一干法刻蚀得到第一干法刻蚀薄膜；对所述第一湿法刻蚀薄膜进行第二湿法刻蚀，得到第二电极，所述第二电极在衬底上的正投影宽度小于第一电极在衬底上的正投影宽度；对所述第一干法刻蚀薄膜进行第二干法刻蚀，得到第二干法刻蚀薄膜；对所述第二干法刻蚀薄膜进行第三湿法刻蚀或第三干法刻蚀，得到隔离层，所述隔离层在衬底上的正投影宽度小于第一电极在衬底上的正投影宽度；所述隔离层的侧壁和第二电极的侧壁形成垂直侧壁； 制备有源层，所述有源层包括依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，所述有源层的第一部分位于所述第一电极上，所述有源层的第三部分位于所述第二电极上，所述有源层的第二部分覆盖住所述隔离层和第二电极的垂直侧壁； 制备栅极绝缘层，所述栅极绝缘层包括依次连接的第一部分、第二部分、第三部分和第四部分，所述栅极绝缘层的第一部分位于所述第一电极上，所述栅极绝缘层的第二部分覆盖住所述有源层的第一部分，所述栅极绝缘层的第三部分覆盖住所述有源层的第二部分，所述栅极绝缘层的第四部分覆盖住所述有源层的第三部分和第二电极，同时所述栅极绝缘层在所述第二电极上设置有通孔； 制备栅极，所述栅极包括连接的第一部分和第二部分，所述栅极的第一部分位于所述栅极绝缘层的第二部分上，所述栅极的第二部分覆盖住所述栅极绝缘层的第三部分。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海大学，其通讯地址为：200444 上海市宝山区上大路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。