福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118284041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410543708.5,技术领域涉及:H10B12/00;该发明授权半导体器件是由童宇诚;张钦福设计研发完成,并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了:本发明公开了半导体器件,包括衬底、栅极结构、多个绝缘间隔、多个第一焊盘、绝缘层、以及高介电常数材料层。绝缘间隔与栅极结构交替地设置在衬底上。第一焊盘设置在绝缘间隔上。绝缘层覆盖在绝缘间隔与栅极结构上,其中,覆盖在栅极结构上的绝缘层具有凹陷。高介电常数材料层设置在凹陷内,且高介电常数材料层的最底面低于第一焊盘的最顶面。如此,借助高介电常数材料层及或绝缘层的设置改善栅极结构顶部的结构缺陷,避免其与上方设置的金属互连线之间衍生可能的短路问题。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件,其特征在于,包括: 衬底; 栅极结构,设置在所述衬底上; 多个绝缘间隔,设置在所述衬底上并位于所述栅极结构的两侧; 多个第一焊盘,设置在所述绝缘间隔上; 绝缘层,覆盖在所述绝缘间隔与所述栅极结构上,其中,覆盖在所述栅极结构上的所述绝缘层具有凹陷;以及 高介电常数材料层,设置在所述凹陷内,且所述高介电常数材料层的最底面低于所述第一焊盘的最顶面。
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