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龙图腾网获悉安徽微芯长江半导体材料有限公司申请的专利一种碳化硅晶体的液相法生长坩埚及使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118360660B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410401441.6，技术领域涉及：C30B19/02；该发明授权一种碳化硅晶体的液相法生长坩埚及使用方法是由王升;陈建军;孔海宽;忻隽;涂小牛设计研发完成，并于2024-04-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体的液相法生长坩埚及使用方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶体的液相法生长坩埚及使用方法，涉及碳化硅晶体制备技术领域，包括装料坩埚，装料坩埚上方设有坩埚盖，装料坩埚外壁上内设有加热腔，装料坩埚底部设有中心定位柱，中心定位柱顶部固定设有截面直径小于其的限位座，限位座上通过螺纹可拆卸设有石墨软毡，限位座位于石墨软毡上方套设有限位板，坩埚盖的中心点处设有贯穿的密闭孔，密闭孔上贯穿设有提拉杆，提拉杆底部通过螺纹连接有籽晶托，石墨软毡与限位板浸没在助溶剂中。本发明能够加快溶碳速度，提高熔体中的碳浓度，提高晶体生长速度并减少晶体内部的助熔剂夹杂，坩埚熔穿问题也能得到有效缓解，且对于将坩埚盖的打开及对生产出的碳化硅晶体取出方便，适合推广。

本发明授权一种碳化硅晶体的液相法生长坩埚及使用方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体的液相法生长坩埚，包括装料坩埚1，其特征在于，所述装料坩埚1上方设有坩埚盖2，所述装料坩埚1外壁上内设有加热腔10，所述装料坩埚1底部中心点处可拆卸设有中心定位柱8，所述中心定位柱8顶部固定设有截面直径小于其的限位座9，所述限位座9上通过螺纹可拆卸设有石墨软毡11，所述限位座9位于石墨软毡11上方套设有限位板12，所述坩埚盖2的中心点处设有贯穿的密闭孔4，所述密闭孔4上贯穿设有提拉杆7，所述提拉杆7底部通过螺纹连接有籽晶托14，所述石墨软毡11与限位板12浸没在助溶剂17中； 所述装料坩埚1上端两侧壁固定设有向上延伸且相互对称的立起架3，所述立起架3上设有贯通的滑动轨道18，所述滑动轨道18为自上而下的轨道，所述坩埚盖2两侧位于立起架3处固定设有升降滑块28，所述升降滑块28贯穿滑动轨道18，且两侧壁与滑动轨道18滑动相连，所述立起架3位于滑动轨道18的顶部设有旋转座16，所述旋转座16嵌在立起架3内且设有卡槽19，所述卡槽19与滑动轨道18相连通，且卡槽19的深度满足升降滑块28脱离滑动轨道18升入到卡槽19中； 所述坩埚盖2下表面边缘处固定设有插入环20，所述装料坩埚1上端对应处插入环20处设有插入槽25，所述插入槽25的底部固定设有弹性垫块27，所述插入环20的底部压在弹性垫块27上，所述插入槽25内壁与插入环20外壁紧密连接，所述装料坩埚1环绕插入环20固定设有圆周阵列的多个下压仓6，所述插入环20对应下压仓6处设有挤压槽26，所述下压仓6内通过支撑弹簧22滑动设有下压块21，所述下压块21截面为锥形，其上下两侧面为倾斜的挤压滑面24。

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