南方科技大学张园获国家专利权
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龙图腾网获悉南方科技大学申请的专利一种可力电调控的导电通道的构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118368967B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410436278.7，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权一种可力电调控的导电通道的构建方法是由张园;刘钰欣;李江宇;黎长建;王扬河;钟高阔;黄博远设计研发完成，并于2024-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可力电调控的导电通道的构建方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种可力电调控的导电通道的构建方法，包括以下步骤：通过脉冲激光沉积法，于STO衬底上生长LSMO的底部电极层，再于所述LSMO的底部电极层的层表面上生长STO薄膜，设计所述LSMO的厚度，使所述STO薄膜的结构存在反位相界缺陷，形成导电通道；获取所述STO薄膜的电子能量损失谱和电流‑伏安特性曲线，验证所述导电通道在力电场下的调控性；该方法解决了现有技术中原位观测APB导电通道形成过程、力电原位调控阻变行为过程较为困难的技术问题。
本发明授权一种可力电调控的导电通道的构建方法在权利要求书中公布了：1.一种可力电调控的导电通道的构建方法，其特征在于，包括如下步骤： 通过脉冲激光沉积法，于STO衬底上生长LSMO的底部电极层，再于所述LSMO的底部电极层的层表面上生长STO薄膜，设计所述LSMO的厚度，使所述STO薄膜的结构存在反位相界缺陷，形成导电通道； 获取所述STO薄膜的电子能量损失谱和电流-伏安特性曲线，验证所述导电通道在力电场下的调控性； 其中，所述LSMO为La0.67Sr0.33MnO3； 设计所述LSMO的厚度为17纳米，以使所述STO薄膜的结构存在反位相界缺陷。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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