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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利一种可穿戴脑磁图仪的磁强计深度调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118415642B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410685344.4，技术领域涉及：A61B5/245；该发明授权一种可穿戴脑磁图仪的磁强计深度调节方法是由曹富智;邵明霄;高振峰;杨念衡;安楠;杨剑之;向岷;张旭;郑世强设计研发完成，并于2024-05-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可穿戴脑磁图仪的磁强计深度调节方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种可穿戴脑磁图仪的磁强计深度调节方法，包括以下步骤：基于光学扫描仪获取被试头盔和人脸的两部分三维信息，并采用两步配准获得磁强计相对于MRI图像头皮表面的位置和方向；基于MRI坐标系下磁强计和头皮的位置与方向，计算磁强计底面沿探头轴向移动到头皮的最小距离；基于该距离，利用电机推杆或其他控制方法将磁强计沿轴向行进相应距离。本发明所实现的磁强计深度调节方法具有自动化、高精度、高效率的特性，能够自动计算磁强计深度调整最佳距离，辅助头盔设计，提高脑磁源定位精度和头盔头皮贴合度，简化深度调整流程，方便医护人员使用，进一步地推动脑磁的医学应用。

本发明授权一种可穿戴脑磁图仪的磁强计深度调节方法在权利要求书中公布了：1.一种可穿戴脑磁图仪的磁强计深度调节方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：将光学扫描仪扫描的点云进行区域生长分割分为头盔点云和面部点云，并把装有磁强计的头盔坐标系与头坐标系进行相对位置与方向的配准，得到变换矩阵T1； 步骤2：将头坐标系与MRI坐标系进行相对位置与方向的配准，得到变换矩阵T2；基于变换矩阵T1和变换矩阵T2，获取探头相对于MRI的相对位置和方向，即整体变换矩阵运算，并将磁强计与头皮在同一坐标系下表示；其中，MRI为头部核磁共振影像； 步骤3：基于探头相对于MRI的相对位置和方向，计算头皮点云的表面法线方向； 步骤4：基于头皮点云的表面法线方向，用距离范围筛选磁强计的切点备选点，实现切点位置的初步筛选； 步骤5：在初筛点的对应法线中，计算得出与磁强计轴向方向最接近的法线，并将该法线对应起点定为磁强计与头皮的切点； 步骤6：计算切面与磁强计底面中点的距离，作为磁强计从基准位置到头皮切面的调整距离，基于调整距离，利用电机推杆或其他控制方法将磁强计沿轴向行进相应距离，实现磁强计自动深度调整； 所述步骤6中，计算切面与磁强计底面中点的距离，作为磁强计从基准位置到头皮切面的调整距离，基于调整距离，利用电机推杆或其他控制方法将磁强计沿轴向行进相应距离，实现磁强计自动深度调整的方法包括： 计算切点与磁强计的欧氏距离和切点到轴线的垂直距离，进而利用勾股定理计算最终深度调整距离，基于计算出的每个探头应移动的最终深度调整距离，利用电机推杆或其他控制方法将磁强计沿靠近头皮的轴向行进相应距离。

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