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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种可变阈值温度开关电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118424484B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410514207.4，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权一种可变阈值温度开关电路是由臧凯旋;黄立朝;章宇新;蒋颖丹;孔祥艺;丁宁设计研发完成，并于2024-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可变阈值温度开关电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种可变阈值温度开关电路，属于集成电路领域，包括带隙基准偏置模块、PTAT电压产生模块、CTAT电压产生模块和比较器；所述带隙基准偏置模块基于带隙基准源模型设计，结合共源共栅结构，实现高电源抑制比的随温度正向变化的PTAT偏置电流，为其他模块提供偏置；所述PTAT电压产生模块由所述带隙基准偏置模块提供PTAT偏置电流，产生随温度正向变化的PTAT电压；所述CTAT电压产生模块，由于二极管电压VBE的负温度特性，产生随温度负向变化的CTAT电压；所述比较器由所述带隙基准偏置模块提供偏置，采用二级结构，经整形输出结果。

本发明授权一种可变阈值温度开关电路在权利要求书中公布了：1.一种可变阈值温度开关电路，其特征在于，包括带隙基准偏置模块、PTAT电压产生模块、CTAT电压产生模块和比较器； 所述带隙基准偏置模块基于带隙基准源模型设计，结合共源共栅结构，实现高电源抑制比的随温度正向变化的PTAT偏置电流； 所述PTAT电压产生模块由所述带隙基准偏置模块提供PTAT偏置电流，产生随温度正向变化的PTAT电压；所述PTAT电压产生模块利用两个双极晶体管的基-射结电压差ΔVBE构建一个具有正温度系数PTAT物理量，由所述带隙基准偏置模块通过共源共栅电流镜提供IPTAT电流，电流流过电阻R+ri产生PTAT电压：VPTAT=R+ri*IPTAT，通过调整熔丝使熔丝产生不同的输出电压，熔丝输出通过译码器译码，控制与电阻ri相连的相应开关导通，修改电阻ri阻值，改变PTAT电压值VPTAT，达到改变温度开关翻转温度的目的；所述PTAT电压产生模块包括PMOS管M13、PMOS管M14、电阻R和N位熔丝；PMOS管M13的源端接正电源，PMOS管M13和M14的栅端接基准源输出，PMOS管M13的漏端接PMOS管M14的源端，PMOS管M14的漏端通过电阻R接N位熔丝；所述N位熔丝通过译码器译码，控制2N位开关，可变阈值温度开关的翻转温度根据熔丝的修调变为2N位； 所述CTAT电压产生模块，由于二极管电压VBE的负温度特性，产生随温度负向变化的CTAT电压；所述CTAT电压产生模块利用双极晶体管的基-射结电压VBE本身具有负温度系数温度特性，由所述带隙基准偏置模块通过共源共栅电流镜提供IPTAT电流，从而产生一个几乎不受βF影响的基-射结电压VBE； 所述比较器由所述带隙基准偏置模块提供偏置，采用二级结构，经整形输出结果；PTAT电压和CTAT电压输入比较器的两端，当达到一定温度时，PTAT电压和CTAT电压交汇，比较器输出结果改变，温度开关翻转。

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