电子科技大学任翱博获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种氧化岛反谐振波导垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118508230B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410654886.5，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种氧化岛反谐振波导垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用是由任翱博;张旭昊;巫江;唐枝婷;赵飞云;刘继林;周翔宇;刘煜设计研发完成，并于2024-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种氧化岛反谐振波导垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氧化岛反谐振波导垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用，涉及半导体技术领域，解决了现有的保证输出功率的基横模垂直腔面发射激光器的制备方法复杂、出光功率较小、成本高且对精度要求较高，不利于广泛应用的问题。激光器自上而下包括，第一电极、P型布拉格反射镜、第一氧化层、第一有源区、隧道结、第二氧化层、第二有源区、N型布拉格反射镜、衬底、第二电极，P型布拉格反射镜的第二对以及第九对p‑DBR的通光孔径中分别设有氧化岛，且靠近的第一电极的氧化岛的宽度大于另一个氧化岛，氧化岛用于反波导高阶模式限制。本发明的基横模垂直腔面发射激光器，出光功率大，制备简单，成本低，对精度要求较低，能广泛应用。
本发明授权一种氧化岛反谐振波导垂直腔面发射激光器、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种氧化岛反谐振波导垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述激光器自上而下包括，第一电极、P型布拉格反射镜、第一氧化层、第一有源区、隧道结、第二氧化层、第二有源区、N型布拉格反射镜、衬底、第二电极，所述P型布拉格反射镜的第二对以及第九对p-DBR的通光孔径中分别设有氧化岛，且靠近的第一电极的氧化岛的宽度大于另一个氧化岛，所述氧化岛用于反波导高阶模式限制。
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