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龙图腾网获悉中国科学院空天信息创新研究院申请的专利百万通道级神经信息检测刺激双模双向脑机接口获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118512182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410678544.7，技术领域涉及：A61B5/262；该发明授权百万通道级神经信息检测刺激双模双向脑机接口是由刘裕;蔡新霞;吴一戎;宋轶琳;王蜜霞;贾千里;段轶铭;单劲;苗健;宁婀竹设计研发完成，并于2024-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本百万通道级神经信息检测刺激双模双向脑机接口在说明书摘要公布了：本发明公开了一种百万通道级神经信息检测刺激双模双向脑机接口，属于脑机接口技术领域。该脑机接口包括至少两个多柄双向CMOS探针和可用于多个多柄双向CMOS探针组装集成的微型接口板；所述多柄双向CMOS探针具备双模神经信号检测及电刺激调控功能；所述多柄双向CMOS探针采用CMOS工艺进行设计制备并且探针采用分时复用的信号引出策略，将多个电极位点通过可控开关与同一信号引出线相连，通过配置开关状态可使得同一时间仅有一个位点的信号被引出线传输，小线宽的制备工艺结合特殊的信号引出方式促使探针电极位点数量获得极大提升。所述脑机接口实现了百万通道级别的神经电生理信号或电化学信号检测，同时满足精准电刺激调控的需求。

本发明授权百万通道级神经信息检测刺激双模双向脑机接口在权利要求书中公布了：1.一种百万通道级神经信息检测刺激双模双向脑机接口，其特征在于，所述脑机接口包括至少两个多柄双向CMOS探针和可用于多个多柄双向CMOS探针集成的微型接口板； 所述多柄双向CMOS探针包括轴向连接的探针基座和至少两个探针柄，所述探针柄上设置电极位点区域，电极位点区域内设置信号检测位点、电刺激位点以及参比电极；所述多柄双向CMOS探针在纵轴方向包括多个分层结构，由下至上依次为基底器件层、至少两层中间绝缘层、至少一层中间金属层、最上层金属层、表面绝缘层； 所述信号检测位点通过中间绝缘层内的金属通孔、中间金属层上的金属通孔接触点先与基底器件层上的传输门开关输入接触孔相连，传输门开关输出接触孔再通过中间绝缘层内的金属通孔、中间金属层上的金属通孔接触点、最上层金属层上的金属通孔接触点以及中间金属层、最上层金属层的导线与多柄双向CMOS探针基座的探针焊盘位点相连；电刺激位点和参比电极直接通过导线与多柄双向CMOS探针基座的探针焊盘位点相连； 所述微型接口板的正反面均设置至少一个用于多柄双向CMOS探针集成的探针集成焊接区域；将探针基座的探针焊盘位点与微型接口板上探针集成焊接区域内的焊盘位点进行焊接实现多柄双向CMOS探针与微型接口板的集成。

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