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龙图腾网获悉湖南大学;湖大粤港澳大湾区创新研究院(广州增城)申请的专利一种柔性光刻掩模版高效批量化制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118550153B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410839892.8，技术领域涉及：G03F1/68；该发明授权一种柔性光刻掩模版高效批量化制备工艺是由段辉高;周宇;陈雷;樊夫;胡跃强;贾红辉设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种柔性光刻掩模版高效批量化制备工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种柔性光刻掩模版高效批量化制备工艺，属于微纳制造领域。包括：硅衬底清洗；得到硅衬底上均匀分布的无缺陷低界面黏附可转移光刻胶膜。去除胶层内的溶剂并提高光刻胶膜的机械擦伤能力。转移，将光刻胶转移到柔性印章上。将硬质母掩模版图案等比例转移到光刻胶上。将硬质母掩模版图案等比例复制到光刻胶上。金属沉积；通过沉积一层不透光金属，最终实现大面积高分辨柔性掩模版的高效、低成本制备。用胶带将结构外的金属和光刻胶缓慢剥离，得到大面积高分辨柔性掩模版。该发明不仅为传统柔性掩模版加工制造提供了更可靠和高效的工艺，使得制造过程更加稳定和高效，同时也能满足大幅面的制造需求。

本发明授权一种柔性光刻掩模版高效批量化制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种柔性光刻掩模版高效批量化制备工艺，其特征在于，该制备工艺包括如下步骤： 步骤一：硅衬底清洗；将硅衬底用去离子水超声清洗并氮气吹干，保持硅衬底表面干燥且干净； 步骤二：涂胶；采用静态旋涂方式，得到硅衬底上均匀分布的无缺陷低界面黏附可转移光刻胶膜； 步骤三：前烘；涂胶完成后，将其放到热板上80℃加热去除胶层内的溶剂并提高光刻胶膜的机械擦伤能力； 步骤四：转移；将柔性印章缓慢地无气泡共形贴合到光刻胶表面，并从硅衬底上剥离，实现光刻胶转移到柔性印章上； 步骤五：曝光；将柔性印章和光刻胶在辊压机施加的压力下将其与硬质母掩模版无气泡贴合，并使用紫外光刻机曝光2-15s，将硬质母掩模版图案等比例转移到光刻胶上； 步骤六：显影；采用浸没式显影，将曝光后的光刻胶在显影液中显影3-10s，将硬质母掩模版图案等比例复制到光刻胶上； 步骤七：金属沉积；通过沉积一层不透光金属，最终实现大面积高分辨柔性掩模版的高效、低成本制备； 步骤八：干法去胶；用胶带将结构外的金属和光刻胶缓慢剥离，得到大面积高分辨柔性掩模版。

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