上海交通大学孙长俐获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种硅基液晶器件相位调制方法、设备、介质及产品获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118567017B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410824445.5,技术领域涉及:G02B5/18;该发明授权一种硅基液晶器件相位调制方法、设备、介质及产品是由孙长俐;陆建钢;唐鸣元;丁伟平;杨建鑫;姜丰;刘昱伯设计研发完成,并于2024-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅基液晶器件相位调制方法、设备、介质及产品在说明书摘要公布了:本申请公开了一种硅基液晶器件相位调制方法、设备、介质及产品,涉及硅基液晶空间光调制技术领域;该方法包括:确定目标偏转角的光栅周期长度;根据光栅周期长度和硅基液晶器件像素电极尺寸,确定单位闪耀周期内像素数目;构建周期性初始等相位差阶梯式相位形貌对应的数学仿真模型;在数学仿真模型上叠加多个离散谐波分量,得到叠加离散谐波分量的阶梯式闪耀光栅形貌;基于衍射级次能量分布,按照设定参数范围对叠加离散谐波分量的阶梯式闪耀光栅形貌进行参数匹配优化,得到优化后的阶梯式闪耀光栅形貌;优化后的阶梯式闪耀光栅形貌用以对硅基液晶器件的入射光进行调制;本申请能够有效提升硅基液晶器件主能级衍射效率,降低其他级次杂散光分量。
本发明授权一种硅基液晶器件相位调制方法、设备、介质及产品在权利要求书中公布了:1.一种硅基液晶器件相位调制方法,其特征在于,所述硅基液晶器件相位调制方法包括: 确定目标偏转角的光栅周期长度;所述目标偏转角为根据波长选择开关的入射端口与目标端口之间的角度,确定的加载闪耀光栅形貌的闪耀角; 根据所述光栅周期长度和硅基液晶器件像素电极尺寸,确定单位闪耀周期内像素数目;所述硅基液晶器件像素电极尺寸是基于器件本征参数或者以比例尺工具测量确定的; 构建周期性初始等相位差阶梯式相位形貌对应的数学仿真模型;所述数学仿真模型是基于多个相位差值构建的;所述相位差值是根据所述单位闪耀周期内像素数目和最高相位深度差确定的;所述最高相位深度差为预设数值; 在所述数学仿真模型上,叠加多个离散谐波分量,得到叠加离散谐波分量的阶梯式闪耀光栅形貌;多个所述离散谐波分量的频率、幅度以及初始相位不同; 基于衍射级次能量分布,按照设定参数范围,对叠加离散谐波分量的阶梯式闪耀光栅形貌进行参数匹配优化,得到优化后的阶梯式闪耀光栅形貌;所述参数包括:谐波幅度和初始相位;优化后的阶梯式闪耀光栅形貌用以对硅基液晶器件的入射光进行调制; 所述数学仿真模型的表达式为: ; 为数学仿真模型的表达式;为单位闪耀周期内像素数目;为单位闪耀周期内像素的序号;为相位差值; 所述离散谐波分量的表达式为: ; 其中,为离散谐波分量;为谐波阶次的次数;为叠加的第阶次的谐波幅度,为叠加的第阶次的谐波初始相位;为叠加的谐波函数;为光栅周期长度。
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