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龙图腾网获悉安徽微芯长江半导体材料有限公司申请的专利一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118600538B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410863989.2，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚是由张艾晨;孔海宽;忻隽;王欣设计研发完成，并于2024-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚，具体涉及碳化硅生长技术领域。上述一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚包括生长坩埚、设置在生长坩埚底部的预热坩埚和设置在预热坩埚内底部的密封罩，生长坩埚和预热坩埚的外侧均独立设置有加热装置，生长坩埚和预热坩埚的内部均设置有粉料，且生长坩埚的内顶部设置有籽晶；上述一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚还包括输送结构一、输送结构二、启闭组件以及扭簧转动结构。本发明解决了当下碳化硅粉料加热呈从外向内的加热趋势，这样不利于粉料均匀气相的运输至籽晶，以及籽晶上不易生长较大的晶体的技术问题。

本发明授权一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体双重加热法生长用坩埚，其特征在于：包括生长坩埚1、设置在所述生长坩埚1底部的预热坩埚2和设置在所述预热坩埚2内底部的密封罩6，所述生长坩埚1和所述预热坩埚2的外侧均独立设置有加热装置，所述生长坩埚1和所述预热坩埚2的内部均设置有粉料，且生长坩埚1的内顶部设置有籽晶； 输送结构一，所述输送结构一设置在所述生长坩埚1内，所述输送结构一包括固定贯穿所述生长坩埚1内底部的料筒一3、开设在所述料筒一3外表面的料口一31和设置在所述料筒一3内的绞龙轴一4，所述绞龙轴一4的轴端依次穿过所述预热坩埚2和所述密封罩6，并转动连接在所述预热坩埚2和所述密封罩6上，所述料筒一3的底部固定连通有导料道5，所述导料道5位于所述预热坩埚2内； 输送结构二，所述输送结构二设置在所述预热坩埚2内，并延伸至所述密封罩6内，并与所述生长坩埚1相连通，所述输送结构二用于将所述预热坩埚2内的粉料输送至生长坩埚1内，所述输送结构二和所述预热坩埚2上设置有阻尼套13； 启闭组件，所述启闭组件滑动连接在所述料筒一3上，且位于所述输送结构二的顶部位置，当所述输送结构二向所述生长坩埚1内输送粉料时，所述启闭组件封堵在所述料口一31上； 扭簧转动结构11，所述扭簧转动结构11设置在所述输送结构二上，且位于所述密封罩6内，所述绞龙轴一4的轴上设置有与所述扭簧转动结构11活动接触的推杆12。

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