天津大学李俊杰获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种高分子纳米膜内制备条件引起的残余应力的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118624076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410592620.2，技术领域涉及：G01L5/00；该发明授权一种高分子纳米膜内制备条件引起的残余应力的检测方法是由李俊杰;于佳俊;张宏;姚芳莲设计研发完成，并于2024-05-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高分子纳米膜内制备条件引起的残余应力的检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高分子纳米膜内制备条件引起的残余应力的检测方法，该检测方法包括如下步骤：基底清洗和改性；高分子纳米膜的制备；热诱导高分子纳米膜去润湿；高分子纳米膜内残余应力计算；本发明检测方法不需要借助高端的检测设备，仅需要光学显微镜、热台和电脑即可对高分子纳米膜内残余应力进行检测，对于深入了解高分子纳米膜内分子构象，并操纵高分子纳米膜的性能具有显著的意义。
本发明授权一种高分子纳米膜内制备条件引起的残余应力的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种高分子纳米膜内制备条件引起的残余应力的检测方法，其特征在于，包括如下步骤： a基底清洗和改性： 采用水虎鱼洗液对基底进行清洗，再在干燥后的基底表面旋涂PDMS的正庚烷溶液并加热处理，然后，将基底置于正庚烷中进行浸泡，再经冲洗、干燥，得到改性基底； b高分子纳米膜的制备： 在改性基底表面旋涂高分子溶液，制得高分子纳米膜； c热诱导高分子纳米膜去润湿： 将高分子纳米膜置于130℃的热台上进行去润湿，并采用光学显微镜对去润湿现象进行观察和记录，再采用软件ImageJ对记录下的不同延迟时间后出现的去润湿孔洞的半径随去润湿时间的变化情况进行统计，再对统计结果进行拟合曲线外推求得去润湿孔洞的初始生长速率，记为vi0，以及去润湿孔洞后期的恒定生长速率，记为vi∞； d高分子纳米膜内残余应力计算： 按照式I所示公式对高分子纳米膜内残余应力进行计算： 式I中，σres为高分子纳米膜内残余应力；σcap＝|S|h，|S|＝γpol1-cosθ，γpol是高分子薄膜和空气之间的表面张力，θ是通过测量去润湿孔洞边缘的轮廓获得的接触角，h为高分子薄膜厚度。
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