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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利基于湿润性技术的高通量液滴等离激元超表面生物芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118641508B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410644742.1，技术领域涉及：G01N21/552；该发明授权基于湿润性技术的高通量液滴等离激元超表面生物芯片是由朱锦锋;吴治霖;黄添豪设计研发完成，并于2024-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于湿润性技术的高通量液滴等离激元超表面生物芯片在说明书摘要公布了：公开了基于湿润性技术的高通量液滴等离激元超表面生物芯片，包括黑硅超疏水区域和等离激元超表面区域，所述黑硅超疏水区域包括基底层和纳米尖刺层，所述纳米尖刺层连接于基底层表面，所述等离激元超表面区域的结构由下至上依次为衬底层、纳米孔洞结构层和金属薄膜层，本发明提供的液滴等离激元超表面生物芯片由于其本身的湿润性技术进一步加快了生物检测步骤中的生物功能化过程，并且降低了试剂用量，有效克服了传统生物检测高成本、低效率的问题，提供了液滴等离激元超表面生物芯片的稳定制造方法，将湿润性技术与等离激元超表面相结合起来，为后续规模量产更加实用的液滴等离激元超表面生物芯片做出重大贡献。

本发明授权基于湿润性技术的高通量液滴等离激元超表面生物芯片在权利要求书中公布了：1.一种基于湿润性技术的高通量液滴等离激元超表面生物芯片的制备方法，其特征在于，包括： S1、采用热纳米压印工艺将镍模板上的纳米结构转印至聚合物基板上； S2、采用UV纳米压印光刻工艺加工形成带有规则纳米孔洞结构的光刻胶； S3、使用等离子体刻蚀工艺处理芯片，将衬底层顶部所述光刻胶清除并形成带有规则纳米孔洞结构的衬底层； S4、使用匀胶机在具有纳米孔洞结构的所述衬底层上旋涂所述光刻胶； S5、将具有圆形孔洞的掩模版平铺在所述芯片上，对所述衬底层进行曝光，放入显影液显影； S6、使用磁控溅射工艺在圆形所述衬底层和所述光刻胶上沉积形成金属薄膜层； S7、使用丙酮溶液浸泡所述芯片，将沉积在所述光刻胶上的金属与所述光刻胶一同剥离； S8、使用黑硅刻蚀工艺将所述金属薄膜层周围裸露的基底层向下刻蚀形成纳米尖刺层； 步骤S1所述热纳米压印工艺的实施条件为150℃和40bar，步骤S2所述UV纳米压印光刻工艺的实施条件为65℃和3.0×10Pa，步骤S8所述黑硅刻蚀工艺的实施条件为0℃； 所述黑硅刻蚀工艺包括将刻蚀气体SF6与钝化气体C4F8进行交替脉冲，脉冲时间为2s，流量为100sccm。

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