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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利光致发光检测的micro-LED检测方法、系统和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118654859B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410746717.4，技术领域涉及：G01M11/02；该发明授权光致发光检测的micro-LED检测方法、系统和电子设备是由吴挺竹;郑立杰;赖寿强;蔡诗芮;黄岚;王俊杰;陈忠设计研发完成，并于2024-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本光致发光检测的micro-LED检测方法、系统和电子设备在说明书摘要公布了：一种光致发光检测的micro‑LED检测方法、系统和电子设备，包括：1对micro‑LED模组进行扫描，获取模组中每个芯片的位置数据；2将激发光圈的中心定位于所需测量的单个芯片的其中一定位点，获取激发光圈区域内的PL光强数据，根据所需测量的单个芯片面积占激发光圈区域内总面积的比率计算所需测量的芯片的PL光强；3依次移动激发光圈至所需测量的芯片的其它定位点，并重复步骤2得到所需测量的芯片的多个PL光强，进行平均得到PL光强平均值；4调整激发光圈大小，重复步骤2‑3得到多个PL光强平均值，进行平均得到所需测量的芯片的PL光强数据。本发明有效分离获取单个芯片的精确数据，提高PL检测方法的精度。

本发明授权光致发光检测的micro-LED检测方法、系统和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种光致发光检测的micro-LED检测方法，其特征在于，包括： 1对micro-LED模组进行扫描，获取micro-LED模组中每个芯片的位置数据，根据每个所述芯片的位置数据确定每个所述芯片的若干定位点；每个所述芯片的若干定位点至少包括有芯片的中心点、芯片左边缘的中心点、芯片上边缘的中心点、芯片右边缘的中心点和芯片下边缘的中心点； 2将激发光圈的中心定位于所需测量的单个芯片的其中一定位点，获取激发光圈区域内的PL光强数据，根据所需测量的单个芯片面积占所述激发光圈区域内总面积的比率计算所需测量的所述芯片的PL光强；具体包括如下： 通过深度学习边缘检测算法对所述激发光圈的区域内包含的所有芯片边缘进行检测并计算总面积，再计算所需测量的所述芯片的面积占所述总面积的比率，根据所述比率计算所需测量的所述芯片的PL光强； 3依次移动所述激发光圈至所需测量的所述芯片的其它定位点，并重复步骤2得到所需测量的所述芯片的多个PL光强，将得到的所需测量的所述芯片的所有PL光强进行平均得到PL光强平均值； 4调整所述激发光圈大小，重复步骤2-3得到多个PL光强平均值，将所需测量的所述芯片的所有PL光强平均值进行平均得到所需测量的所述芯片的PL光强数据。

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