昆山国显光电有限公司马应海获国家专利权
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龙图腾网获悉昆山国显光电有限公司申请的专利阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676151B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311373594.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的控制方法是由马应海;陈发祥;李俊峰设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的控制方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的控制方法。阵列基板包括衬底、阵列层和金属层。阵列层包括晶体管，晶体管包括有源层和第一栅极，第一栅极设置在有源层背离衬底的一侧。有源层包括第一沟道区、第二沟道区、第一源区和第一漏区，金属层位于有源层靠近衬底的一侧且包括电位控制部，电位控制部和第一沟道区存在交叠时。电位控制部在衬底的正投影与第二沟道区在衬底的正投影错位设置。由于第二沟道区的长度大于第一沟道区的长度，当第一沟道区关闭时，有源层表现为第二沟道区的器件特性，即晶体管具有较大的亚阈值摆幅；当第一沟道区开启后，有源层表现为第一沟道区的器件特性，即晶体管具有较大的开态电流。
本发明授权阵列基板、显示面板、显示装置及阵列基板的控制方法在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括： 衬底； 阵列层，位于所述衬底的一侧，所述阵列层包括晶体管，所述晶体管包括有源层和第一栅极，所述第一栅极位于所述有源层背离所述衬底的一侧，所述有源层包括第一沟道区、第二沟道区、第一源区和第一漏区，所述第一沟道区和所述第二沟道区分别连接于所述第一源区和所述第一漏区之间，所述第二沟道区的长度大于所述第一沟道区的长度，所述第一沟道区和所述第二沟道区在所述衬底的正投影均位于所述第一栅极在所述衬底的正投影之内； 金属层，位于所述有源层靠近所述衬底的一侧，所述金属层包括电位控制部，所述电位控制部在所述衬底的正投影与所述第一沟道区在所述衬底的正投影至少部分交叠，所述电位控制部在所述衬底的正投影位于所述第二沟道区在所述衬底的正投影之外。
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