苏州能讯高能半导体有限公司李元获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118841398B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310449519.7，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由李元;赵杨设计研发完成，并于2023-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件及其制备方法，该半导体器件包括衬底；外延结构，位于衬底一侧且外延结构包括位于有源区的第一二维电子气；沉积连接结构，位于外延结构远离衬底的一侧，且沉积连接结构与第一二维电子气电连接；导电结构，位于无源区且与第一二维电子气电连接，导电连接结构用于与沉积槽中的阴极电连接；沉积结构，位于沉积连接结构远离衬底的一侧，且沉积结构与沉积连接结构接触电连接。采用上述技术方案，通过在无源区增设导电结构，并将第一二维电子气作为导电结构和沉积连接结构之间的连接桥梁，能够简化沉积结构的工艺流程并改进沉积结构的几何形状，从而降低生产成本并提高器件可靠性。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括有源区以及围绕所述有源区的无源区； 所述半导体器件还包括： 衬底； 外延结构，位于所述衬底一侧且所述外延结构包括位于所述有源区的第一二维电子气； 沉积连接结构，位于所述外延结构远离所述衬底的一侧，且所述沉积连接结构与所述第一二维电子气电连接； 导电结构，至少部分位于所述无源区且与所述第一二维电子气电连接，所述导电结构用于与沉积槽中的阴极电连接； 沉积结构，位于所述沉积连接结构远离所述衬底的一侧，且所述沉积结构与所述沉积连接结构接触电连接。
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