全磊光电股份有限公司林志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉全磊光电股份有限公司申请的专利垂直腔面发射激光器及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118841827B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411001292.0，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权垂直腔面发射激光器及制造方法是由林志伟;张永;单智发;陈阳华;李洪雨设计研发完成，并于2024-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本垂直腔面发射激光器及制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法。该垂直腔面发射激光器包括依次层叠设置的第一反射镜、有源区、氧化限制结构以及第二反射镜，氧化限制结构包括至少一层氧化抑制层和至少一层氧化层，氧化抑制层和氧化层沿着第一反射镜至第二反射镜的方向层叠设置，且氧化层与有源区之间以至少一层氧化抑制层相间隔，氧化抑制层用于抑制氧元素的扩散。该垂直腔面发射激光器的可靠性能够得到提高。
本发明授权垂直腔面发射激光器及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括依次层叠设置的第一反射镜、有源区、氧化结构以及第二反射镜，所述氧化结构包括至少一层氧化抑制层和至少一层氧化层，所述氧化抑制层和所述氧化层沿着所述第一反射镜至所述第二反射镜的方向层叠设置，且所述氧化层与所述有源区之间以至少一层所述氧化抑制层相间隔，所述氧化抑制层用于抑制氧元素的扩散；所述氧化抑制层有多层，所述氧化层有多层，且多层所述氧化抑制层和多层所述氧化层逐层交替设置；沿着远离所述有源区的方向，多层所述氧化层中各所述氧化层的厚度逐渐增加；所述氧化结构具有导通区和位于所述导通区之外的氧化区；每一层所述氧化抑制层和每一层所述氧化层中均包括位于所述导通区的部分和位于所述氧化区的部分。
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