塞米拉布半导体物理实验室有限公司M·D·威尔森获国家专利权
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龙图腾网获悉塞米拉布半导体物理实验室有限公司申请的专利利用电晕表面电荷的光中和时间常数表征半导体掺杂的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118891532B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202480001587.X，技术领域涉及：G01R31/265；该发明授权利用电晕表面电荷的光中和时间常数表征半导体掺杂的方法是由M·D·威尔森;J·拉戈夫斯基;C·阿尔梅达;B·施赖尔;A·萨夫楚克设计研发完成，并于2024-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用电晕表面电荷的光中和时间常数表征半导体掺杂的方法在说明书摘要公布了：表征宽带隙半导体样品中的半导体掺杂的方法包括：在黑暗中测量半导体样品的表面的区域处的表面电压的初始值V0；通过在区域处沉积规定的电晕电荷，在黑暗中将区域充电至深度耗尽；在充电之后在黑暗中测量区域处的表面电压值；用特定光子通量feff的光照射充电区域，特定光子通量feff具有足以在半导体样品中产生自由少数载流子从而引起电晕电荷的光中和的高于半导体带隙的光子能量；使用表面电压Vt的非接触时间分辨测量来监测区域处的光中和诱导的电晕电荷衰减与照射时间t的关系；分析监测的时间分辨表面电压衰减数据Vt以确定光中和时间常数τph；以及使用特定光子通量feff下的光中和时间常数τph作为半导体掺杂指数，并基于其值表征该区域处的半导体掺杂浓度。
本发明授权利用电晕表面电荷的光中和时间常数表征半导体掺杂的方法在权利要求书中公布了：1.一种表征宽带隙半导体样品中的半导体掺杂的方法，所述方法包括： 在黑暗中测量所述半导体样品的表面的区域处的表面电压的初始值V0； 通过在所述区域处沉积规定的电晕电荷，在黑暗中将所述区域充电至深度耗尽； 在充电之后在黑暗中测量所述区域处的表面电压值； 用特定光子通量φeff的光照射充电的区域，所述特定光子通量φeff具有足以在所述半导体样品中产生自由少数载流子从而引起所述电晕电荷的光中和的高于所述半导体带隙的光子能量； 使用表面电压V的非接触时间分辨测量来监测在所述区域处的光中和诱导的电晕电荷衰减与照射时间t的关系； 分析监测的时间分辨表面电压衰减数据Vt以确定光中和时间常数τph；以及 使用特定光子通量φeff下的所述光中和时间常数τph作为半导体掺杂指数，并基于其值表征所述区域处的半导体掺杂浓度。
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