重庆大学余华获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆大学申请的专利一种电光调制器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118938518B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411282376.6，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种电光调制器及其制备方法和应用是由余华;陈冠宇;苏问渠;陆锦东;周思远;刘玉山设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电光调制器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于电光器件技术领域，具体涉及一种电光调制器及其制备方法和应用。本发明提供的电光调制器为马赫曾德尔电光调制器，包括对称且平行的双臂结构；其中任一单臂具有如下所述结构：所述电光调制器的任一单臂包括依次层叠设置的基底层、二氧化硅层和光电材料层；所述光电材料层的表面设置有地端电极、信号端电极和氮化硅光子晶体波导；所述氮化硅光子晶体波导位于地端电极和信号端电极之间，调制区长度为100～300μm；所述氮化硅光子晶体波导具有三角晶格晶体孔结构；所述二氧化硅层在垂直于氮化硅光子晶体波导的位置具有空腔结构。该电光调制器能够解决由于直接刻蚀传统光电薄膜材料引起的加工损耗、电光带宽和器件尺寸的限制问题。
本发明授权一种电光调制器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种电光调制器，其特征在于，所述电光调制器为马赫曾德尔电光调制器；所述马赫曾德尔电光调制器包括对称且平行的双臂结构；所述双臂结构的任一单臂具有如下所述结构： 所述电光调制器的任一单臂包括依次层叠设置的基底层、二氧化硅层和光电材料层；所述光电材料层的材质为铌酸锂； 所述光电材料层的表面设置有地端电极、信号端电极和氮化硅光子晶体波导；所述氮化硅光子晶体波导位于地端电极和信号端电极之间，并与地端电极和信号端电极接壤；所述氮化硅光子晶体波导具有垂直于基底的晶体孔结构；所述晶体孔结构为三角晶格晶体孔结构；所述电光调制器的调制区长度为100~300μm； 所述二氧化硅层在垂直于氮化硅光子晶体波导的位置具有空腔结构。
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