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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利MEMS硅谐振压力传感器及自动增益控制电路单芯片实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118961005B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411015506.X，技术领域涉及：G01L1/16；该发明授权MEMS硅谐振压力传感器及自动增益控制电路单芯片实现方法是由马涛;李乐;赵国良;龙强设计研发完成，并于2024-07-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本MEMS硅谐振压力传感器及自动增益控制电路单芯片实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了MEMS硅谐振压力传感器及自动增益控制电路单芯片实现方法，所述压力传感器包括：硅谐振压力传感器敏感结构与AC‑AGC交流自动增益控制电路，所述硅谐振压力传感器敏感结构与AC‑AGC交流自动增益控制电路构成闭环反馈控制回路，同时将检测到的正弦波信号通过带通滤波和方波信号转换处理后，完成检测压力值‑频率值的转换输出；本发明在满足硅谐振压力传感器高性能和高可靠性要求的前提下，将自动增益控制板级电路进行芯片级设计，从而转为单颗芯片，能大幅减少原电路板元器件的种类和数量，减小控制电路及压力传感器整表的体积和重量，并降低传感器整表功耗和成本，符合硅谐振压力传感器未来“质量轻、体积小、价格廉、功耗省”的发展需求。

本发明授权MEMS硅谐振压力传感器及自动增益控制电路单芯片实现方法在权利要求书中公布了：1.MEMS硅谐振压力传感器，其特征在于,包括：硅谐振压力传感器敏感结构与AC-AGC交流自动增益控制单芯片电路，所述硅谐振压力传感器敏感结构与AC-AGC交流自动增益控制单芯片电路构成闭环反馈控制回路，同时检测到正弦波信号通过带通滤波和方波信号转换处理，完成检测压力值-频率值转换输出； 所述AC-AGC交流自动增益控制单芯片电路包括微弱电容检测电路功能模块，所述微弱电容检测电路功能模块采用CV转换电路，所述CV转换电路中运算放大器采用结型场效应管JFET作为输入级晶体管； 所述CV转换电路采用PMOS有源电阻器； 所述AC-AGC交流自动增益控制单芯片电路中采用并产生调幅正弦波信号作为驱动激励信号，利用工作在线性区的结型场效应管JFET，其源漏极有效电阻RDS与栅源电压VGS的反比例关系，构建驱动激励信号产生电路，对检测正弦波信号的幅度负反馈控制，以及整个环路增益的自动控制调节； 所述AC-AGC交流自动增益控制单芯片电路还包括峰值检测电路，采用全波整流与二阶低通滤波电路； 所述AC-AGC交流自动增益控制单芯片电路还包括高压电荷泵电路，采用Dickson电压倍增器结构，二极管选用加埋层的类型以及耐高压叉指电容； 所述AC-AGC交流自动增益控制单芯片电路还包括温度传感器电路，通过晶体管Q1基极-发射极电压VBE的负温度特性设计； 所述芯片中集成EEPROM-IP单元，用于调整与存储闭环增益、比例系数电性能参数。

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