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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于薄膜应变传感器的高温应变测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118999335B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411209951.X，技术领域涉及：G01B7/16；该发明授权一种基于薄膜应变传感器的高温应变测量方法是由蒋书文;周枳仲;周世威;陶伯万设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于薄膜应变传感器的高温应变测量方法在说明书摘要公布了：本发明属于高温薄膜传感器技术领域，具体提供一种基于薄膜应变传感器的高温应变测量方法。本发明采用高温基点法，具体为一种以薄膜应变片在待测温度下的初始电阻为基点、高温电阻漂移量为补偿、高温电阻变化量为参量的薄膜应变解析方法，此方法不必考虑应变片电阻温度效应以及敏感栅与被测试件材料线膨胀系数不同导致的视应变误差热输出，避免了高温应变传感器热输出带来的信号误差，在应用中也无需对热输出数据进行温度补偿，只需进行电阻漂移补偿；综上，本发明采用高温基点做为电阻变化值的计算基点，同时补偿了高温下的电阻漂移，有效减少误差，提高了测量精度，同时，通过信号后处理功能检验了测量结果有效性，提高了应用范围。

本发明授权一种基于薄膜应变传感器的高温应变测量方法在权利要求书中公布了：1.一种基于薄膜应变传感器的高温应变测量方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1.设置高温基点； 通过热电偶采集待测区域的温度信号，设置时间窗口tc，实时计算时间窗口tc内的历史温度的平均值，计算当前时刻的温度值与该平均值的差值，当差值小于预设阈值Ty时，判定待测区域达到恒温状态，记录当前时刻的薄膜应变传感器的电阻值R0作为高温基点，记录当前时刻的温度值T作为恒定温度； 步骤2.计算电阻漂移率并完成漂移补偿； 待测区域达到恒温状态后，设置时间窗口Δt，计算恒定温度下时间窗口Δt内的电阻偏移率D；实时采集薄膜应变传感器的电阻值Rt，根据电阻漂移率D完成漂移补偿，得到补偿后电阻值RD； 步骤3.计算实时应变值； 根据恒定温度下薄膜应变传感器的应变因子GF值与电阻漂移率D，计算补偿后电阻值Rt,D与高温基点R0的电阻差值ΔRt，进而计算得到薄膜应变传感器测量得实时应变值εt； 步骤4.计算实时应力； 根据恒定温度下薄膜应变传感器的基底的弹性模量Y值与实时应变值ε，计算得到薄膜应变传感器测量得实时应力σt。

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