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龙图腾网获悉浙江大学衢州研究院申请的专利一种三维多孔材料扫描电镜分析的样品制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119000754B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411076054.6，技术领域涉及：G01N23/2202；该发明授权一种三维多孔材料扫描电镜分析的样品制作方法是由蒋倩倩;王洪坤设计研发完成，并于2024-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种三维多孔材料扫描电镜分析的样品制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种三维多孔材料扫描电镜形貌分析样品制作方法，以具备丰富微孔结构的三维多孔材料为形貌观测对象，利用室温离子液体良好的离子导电性以及对样品的无损浸润，全方位的增加样品的导电性，从而得到高质量、无荷电效应的SEM图像。其可以解决现阶段采用镀导电膜增加样品导电性时，无法使三维多孔材料的每个孔壁、网状和片层都溅射了导电粒子，实现全方位、无死角的增加材料导电性的问题。

本发明授权一种三维多孔材料扫描电镜分析的样品制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维多孔材料扫描电镜形貌分析的样品制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 剪切三维多孔材料成所需尺寸； 将所述多孔材料采用导电胶粘在导电槽内，所述导电槽为由导电材料制备的上端开口的容器； 配制室温离子液体与溶剂的混溶液； 所述室温离子液体指在20-30℃下呈现液态的融盐中的一种或二种以上，熔点≤30℃；通常由特定的有机阳离子与无机阴离子或有机阴离子构成，结构式为的有机阳离子有咪唑类、结构式为哌啶类、结构式为吡咯烷类、结构式为吡啶类中的一种或二种以上，其中R1、R2、R3分别为碳链长度n的烷基取代基，0≤n≤8，且其中R1、R2、R3的碳链长度n不同时取0；其中R8、R9、R10分别为碳链长度n的烷基取代基，0≤n≤8，且R8、R9、R10的碳链长度n不同时取0；其中R4、R5、R6、R7分别为碳链长度n的烷基取代基，1≤n≤8； 阴离子有卤素离子、四氟硼酸根离子、六氟磷酸根离子、双三氟甲烷磺酰亚胺中的一种或二种以上； 所述室温离子液体混合液与待测样品的接触角Ѳ在0Ѳ90°之间； 将上述混溶液加入导电槽内，以使溶液缓慢浸润整个多孔材料，即材料的各个外表面被完全润湿； 将上述被浸润的多孔材料烘干去除溶剂，得置于导电槽内的可用于扫描电镜形貌分析的多孔材料样品。

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