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龙图腾网获悉电子科技大学;电子科技大学广东电子信息工程研究院申请的专利一种双向静电保护器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008618B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410359943.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种双向静电保护器件是由乔明;魏敬奇;齐钊;陈泓全;张波设计研发完成，并于2024-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双向静电保护器件在说明书摘要公布了：本发明提出了一种双向静电保护器件，包括P型衬底、N型阱区、第一P型阱区、第二P型阱区、第一SN注入区、第二SN注入区、第一SP注入区、第二SP注入区、第一高注入能量高掺杂浓度P型区、第二高注入能量高掺杂浓度P型区、第一金属连接线、第二金属连接线；本发明通过引入高注入能量高掺杂浓度P型区，嵌入新的电流泄放路径，使器件实现了二次回滞特性，增加了维持电压，提高抗闩锁性能，同时降低钳位电压，提高鲁棒性，此外采用完全对称的双向结构设计，满足双向ESD保护的需求。

本发明授权一种双向静电保护器件在权利要求书中公布了：1.一种双向静电保护器件，其特征在于包括：P型衬底10、N型阱区20、第一P型阱区31、第二P型阱区32、第一SN注入区41、第二SN注入区42、第一SP注入区51、第二SP注入区52、第一高注入能量高掺杂浓度P型区61、第二高注入能量高掺杂浓度P型区62、第一金属连接线71、第二金属连接线72； 其中，第一P型阱区31位于P型衬底10上方左侧区域，第二P型阱区32位于P型衬底10上方右侧区域，N型阱区20位于P型衬底10中部且左右两侧分别紧邻第一P型阱区31和第二P型阱区32；在第一P型阱区31内部上方从左至右分别设有第一SP注入区51和第一SN注入区41，二者紧邻且通过第一金属连接线71连接作为器件的阳极或阴极，第一高注入能量高掺杂浓度P型区61位于第一SN注入区41下方且第一高注入能量高掺杂浓度P型区61上边界紧挨第一SN注入区41下边界，第一高注入能量高掺杂浓度P型区61右边界与第一SN注入区41右边界对齐，第一高注入能量高掺杂浓度P型区61左边界位于第一SN注入区41左边界的右侧；在第二P型阱区32内部上方从左至右分别设有第二SN注入区42和第二SP注入区52，二者紧邻且通过第二金属连接线72连接作为器件的阴极或阳极，第二高注入能量高掺杂浓度P型区62位于第二SN注入区42下方且第二高注入能量高掺杂浓度P型区62上边界紧挨第二SN注入区42下边界，第二高注入能量高掺杂浓度P型区62左边界与第二SN注入区42左边界对齐，第二高注入能量高掺杂浓度P型区62右边界位于第二SN注入区42右边界的左侧。

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