中国电子科技集团公司第五十五研究所邵国键获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119040825B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411174242.2，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法是由邵国键;周书同;陈韬;钱鹏飞;章军云设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法，金属薄层包括WTi混合金属层、Au金属层、Ni金属层、WTi混合金属层、Au金属层、Au金属层；金属薄层通过磁控溅射、电镀等工艺制备而成。相较于现有技术，本发明采用上述金属薄层结构作为电容上极板，具有较高的粘附性及高键合拉力强度，同时在经历高强度可靠性试验后仍能保持优异的性能。
本发明授权一种用于表面键合的金属薄层结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于表面键合的金属薄层结构，其特征在于，包括第一金属层1、设于第一金属层1上的第二金属层2、设于第二金属层2上的第三金属层3、设于第三金属层3上的第四金属层4、设于第四金属层4上的第五金属层5、设于第五金属层5上的第六金属层6；第一金属层1为WTi混合金属，第二金属层2为Au金属，第三金属层3为Ni金属，第四金属层4为WTi混合金属，第五金属层5为Au金属，第六金属层6为Au金属，第一金属层1采用WTi混合金属靶材并通过磁控溅射工艺制备；所述的WTi混合金属靶材中W金属、Ti金属的质量比为2：8~5：5；电容介质8，将第一金属层1通过磁控溅射工艺形成于电容介质8表面；所述的第一金属层1作为种子层，第二金属层2作为第三金属层3电镀的种子层；所述的第六金属层6作为金丝键合层；所述的第一金属层1的厚度为40~150nm，第二金属层2的厚度为20~160nm，第三金属层3的厚度为350~1300nm，第四金属层4的厚度为40~150nm，第五金属层5的厚度为20~160nm，第六金属层6的厚度为1.1~5μm。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十五研究所，其通讯地址为：210016 江苏省南京市秦淮区瑞金路街道中山东路524号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励