福建省晋华集成电路有限公司吴建山获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119136541B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411204540.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制备方法是由吴建山;冯立伟;许培育;蔡建成;张议丹;郭幸杏设计研发完成，并于2024-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，利用在埋入式字线结构上设置介质层，来隔离埋入式字线结构和相应的位线结构，实现避免随着半导体器件尺寸的微缩所衍生的埋入式字线结构中第一功函数材料层的第二部分与相应位线结构发生短接、漏电等问题，即达到提升半导体器件的可靠度与性能的目的。并且，新增的所述第一介质层同时还可作为位线结构的内部组件膜层例如栅介电层，因此无需额外增加制程工艺，亦即实现简化制程流程且降低制造成本的目的。
本发明授权一种半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 基底，所述基底包括第一区和第二区； 多个有源结构，由绝缘结构限定； 埋入式字线结构，横跨所述多个有源结构、所述绝缘结构并沿水平方向延伸设置在所述基底中，且所述埋入式字线结构包括： 第一功函数材料层，包括： 第一部分，位于所述第一区上； 第二部分，位于所述第二区上，且在垂直方向上，所述第二部分的上表面高于所述有源结构的上表面，所述第一部分的上表面低于所述有源结构的上表面； 介质层，位于所述第一功函数材料层上；以及 多个字线导电插塞，与所述第一功函数材料层的第二部分直接接触。
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