买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉润芯感知科技(南昌)有限公司申请的专利半导体衬底的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119143077B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411535716.1，技术领域涉及：B81C3/00；该发明授权半导体衬底的制备方法是由高晋文;郭佳惠;徐家骏;黄峰;张晨艳设计研发完成，并于2024-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体衬底的制备方法在说明书摘要公布了：一种半导体衬底的制备方法，包括：提供第一衬底和第二衬底；对所述第一衬底的相对的第一表面和第二表面进行氧化处理以形成第一氧化层和第二氧化层；对所述第一衬底的所述第一表面进行刻蚀处理以形成凹槽结构，并保留部分所述第一氧化层；将所述第二衬底和所述第一衬底对合以对所述凹槽结构进行密封并形成空腔结构；对所述第二衬底依次进行粗减薄处理和精细减薄处理以使所述第二衬底的厚度为5微米~20微米，该制备方法可以实现采用具有不同功能的设备分步进行粗减薄、化学机械抛光和傅里叶红外测量等步骤，从而突破了设备能力不足的障碍，且工艺灵活度也得到了大大的提升。

本发明授权半导体衬底的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体衬底的制备方法，包括： 提供第一衬底和第二衬底，其中，所述第一衬底和所述第二衬底均为硅衬底； 对所述第一衬底的相对的第一表面和第二表面进行氧化处理以形成第一氧化层和第二氧化层； 对所述第一衬底的所述第一表面进行刻蚀处理以形成凹槽结构，并保留部分所述第一氧化层； 将所述第二衬底和所述第一衬底对合以对所述凹槽结构进行密封并形成空腔结构； 对所述第二衬底依次进行粗减薄处理和精细减薄处理以使所述第二衬底的厚度为5微米~20微米； 在对所述第二衬底进行精细减薄处理之前还包括采用傅里叶红外仪对所述第二衬底的厚度进行测量，以精确后续精细减薄处理需要对第二衬底进行减薄的厚度； 对所述第二衬底进行精细减薄处理包括对所述第二衬底进行多次抛光处理，在进行每次抛光处理之后采用所述傅里叶红外仪对所述第二衬底的厚度进行测量，所述抛光处理为化学机械抛光处理，所述化学机械抛光处理为采用二氧化硅胶体进行抛光； 对所述第一衬底的所述第二表面上的所述第二氧化层进行处理以去除所述第二氧化层； 对所述第二衬底进行粗减薄处理包括采用机械研磨的方式将所述第二衬底减薄至21微米~30微米； 对所述第二衬底进行粗减薄处理包括依次进行粗研磨处理和精细研磨处理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人润芯感知科技(南昌)有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道588号南昌高新微电子科技园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。