买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利图案化方法、半导体结构及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230397B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310785990.3，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权图案化方法、半导体结构及存储器是由杨子晋;汪亚;徐文祥;刘藩东;华文宇设计研发完成，并于2023-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本图案化方法、半导体结构及存储器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种图案化方法、半导体结构及存储器。该图案化方案包括以下步骤：在待蚀刻层一侧的掩模层中形成心轴结构之后，通过去除部分心轴结构，以形成长度较小的第一沟槽以及长度较大的第二沟槽，并以第一沟槽和第二沟槽来形成第一掩模图案和第二掩模图案，以此形成长度不同的第一图案化结构和第二图案化结构。本申请可以提高图案化方法的适用性，并降低形成不同尺寸图案的精细构图工艺的工艺难度和成本，使得本申请提供的图案化方法可以满足更多的工艺需求。

本发明授权图案化方法、半导体结构及存储器在权利要求书中公布了：1.一种图案化方法，其特征在于，包括以下步骤： 形成待蚀刻层以及位于所述待蚀刻层一侧的第一掩模层，所述第一掩模层中形成有间隔的多个心轴结构，所述心轴结构形成有第一子部以及沿所述心轴结构的延伸方向上位于所述第一子部至少一侧的第二子部； 在所述第一掩模层远离所述待蚀刻层的一侧形成覆盖多个所述心轴结构的第一材料层； 去除所述第一子部远离所述待蚀刻层一侧的所述第一材料层、以及去除位于相邻的所述第一子部之间且沿平行于所述待蚀刻层的方向上覆盖于所述待蚀刻层靠近所述第一掩模层一侧的所述第一材料层，以在所述第一子部的相对两侧壁处形成第一侧墙组，所述第一侧墙组包括位于所述第一子部的侧壁的两个第一子墙； 去除所述第一子部，以形成位于所述第一侧墙组内两个所述第一子墙之间的第一沟槽、以及位于相邻两个所述第一侧墙组之间的第二沟槽，且所述第二沟槽的长度大于所述第一沟槽的长度； 通过所述第一沟槽以及所述第二沟槽在所述待蚀刻层设有所述第一掩模层的一侧分别形成第一掩模图案和第二掩模图案； 采用所述第一掩模图案和所述第二掩模图案对所述待蚀刻层进行蚀刻，得到第一图案化结构和第二图案化结构，且所述第二图案化结构的长度大于所述第一图案化结构的长度。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江存储科技有限责任公司，其通讯地址为：430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。