厦门三安光电有限公司吴政获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230681B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310782354.5，技术领域涉及：H10H20/814；该发明授权发光二极管及发光装置是由吴政;李佳恩;林科闯;郭世维;秦志磊;张腾;王伟国设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、多个凸起结构和反射结构。第一半导体层具有相对的上表面和下表面，发光层位于第一半导体层的上表面上，第二半导体层位于发光层之上，多个凸起结构分布于第一半导体层的下表面上，反射结构间隔式地覆盖多个凸起结构，反射结构具有多个出光孔，出光孔露出凸起结构，相邻二个出光孔之间存在至少一个凸起结构。借由反射结构的设置，能够让光线由出光孔射出，进而形成小角度垂直集中出光，满足发光二极管对于小角度垂直集中出光的需求。
本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括： 第一半导体层，具有相对的上表面和下表面； 发光层，位于所述第一半导体层的上表面上； 第二半导体层，位于所述发光层之上； 多个凸起结构，所述多个凸起结构分布于所述第一半导体层的下表面上； 反射结构，间隔式地覆盖所述多个凸起结构，所述反射结构具有多个出光孔，所述出光孔露出所述凸起结构，所述凸起结构的四周被所述反射结构覆盖，相邻二个所述出光孔之间存在至少一个所述凸起结构。
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