厦门三安光电有限公司吴政获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门三安光电有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230683B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310784131.2，技术领域涉及：H10H20/82；该发明授权发光二极管及发光装置是由吴政;李佳恩;林科闯;郭世维;秦志磊;王伟国;张腾设计研发完成，并于2023-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、第一粗化结构和第二粗化结构。发光层位于第一半导体层上，定义发光层未覆盖到的第一半导体层的上表面为台面，第二半导体层位于发光层上，第一粗化结构和第二粗化结构均位于第一半导体层下，第一粗化结构的水平投影位于发光层的水平投影内，第二粗化结构的水平投影位于台面的水平投影内，第一粗化结构的深度大于第二粗化结构的深度。通过在对应于发光层的第一半导体层下表面设置较大的第一粗化结构，在对应于台面的第一半导体层下表面设置较小的第二粗化结构，能够解决芯片的中心和边缘发光强度差异大的问题，满足MicroLED芯片光型均匀的显示要求。
本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括： 第一半导体层，具有相对的上表面和下表面； 发光层，位于所述第一半导体层的上表面上，定义所述发光层未覆盖到的所述第一半导体层的上表面为台面； 第二半导体层，位于所述发光层之上； 第一粗化结构，位于所述第一半导体层的下表面； 第二粗化结构，位于所述第一半导体层的下表面； 其中，所述第一粗化结构的水平投影位于所述发光层的水平投影内，所述第二粗化结构的水平投影部分位于所述台面的水平投影内，其余部分的第二粗化结构的水平投影位于所述发光层的边缘的水平投影内，所述发光层的边缘区域是指由所述发光层的最外侧侧边向所述发光层的内部延伸0.1~2μm的区域，所述第二粗化结构相较于所述第一粗化结构，所述第二粗化结构的尺寸更小，所述第二粗化结构的密度更大。
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