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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种MEMS器件的焊盘结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119263200B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411318886.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种MEMS器件的焊盘结构及其制备方法是由周宁;彭锟;朱丽;王思维;张元特;马鑫设计研发完成，并于2024-09-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS器件的焊盘结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS器件的焊盘的制备方法，它包括在双抛硅片上依次制备有第一介质层、第一过渡金属层、第一金属层、第二过渡金属层、第二介质层、第三过渡金属层、第二金属层10和过渡介质层11。本发明通过在焊盘内增加合适的过渡金属层和过渡介质层结构，降低了金属层之间、金属层与介质层之间的应力失配而导致焊盘失效的风险，增加了焊盘可靠性。

本发明授权一种MEMS器件的焊盘结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS器件的焊盘的制备方法，其特征在于：它包括以下步骤：S1、取双抛硅片1，在双抛硅片1上表面制备第一介质层2； S2、在第一介质层2上依次通过光刻、介质刻蚀、去胶工艺制备出一组第一通孔3； S3、在第一介质层2上覆盖有第一过渡金属层4，第一过渡金属层4完全填充第一通孔3，使得第一过渡金属层4与双抛硅片1形成电连接配合； S4、在第一过渡金属层4的上表面上制备有与MEMS芯片内部电路连通配合的第一金属层5； S5、在第一金属层5的上表面上制备有第二过渡金属层6； S6、在第二过渡金属层6的上表面上制备有第二介质层7； S7、在第二介质层7上依次通过光刻、介质刻蚀、去胶工艺制备出一组第二通孔8； S8、在第二介质层7上覆盖有第三过渡金属层9，第三过渡金属层9完全填充第二通孔8，使得第三过渡金属层9与第二过渡金属层6形成电连接配合； S9、在第三过渡金属层9上制备出与MEMS芯片内部电路连通配合的第二金属层10； S10、在第二金属层10上覆盖有过渡介质层11； S11、在过渡介质层11上依次通过光刻、介质刻蚀、去胶工艺制备出第三通孔12从而形成焊盘的打线区域； 所述第一过渡金属层4、第二过渡金属层6和第三过渡金属层9提高金属层与介质层之间黏附性和降低焊盘应力。

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