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龙图腾网获悉武汉华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板、制作方法及显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277908B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411266716.6，技术领域涉及：H10K59/124；该发明授权显示面板、制作方法及显示装置是由顺布乐;郝翠玉设计研发完成，并于2022-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示面板、制作方法及显示装置在说明书摘要公布了：本申请公开一种显示面板、制作方法及显示装置。显示面板包括：基板；有源层，设于基板上；栅极绝缘组合，设于有源层上；层间介电层，设于栅极绝缘组合上，设第一过孔穿透栅极绝缘组合暴露有源层；第一金属层，设于层间介电层上，沉积第一过孔中；第一平坦层，覆盖第一金属层和层间介电层，设第二过孔暴露第一金属层；第二金属层，设于第一平坦层上，沉积第二过孔中；电极绝缘组合，设于第二金属层上；第二平坦层，设于电极绝缘组合上，设第三过孔穿透电极绝缘组合暴露第二金属层；像素阳极层，设于第二平坦层上，沉积第三过孔中。本申请通过直接开孔连接像素阳极层与第二金属层，规避了像素阳极层与电极走线连接而接触阻抗变大的问题。

本发明授权显示面板、制作方法及显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示面板，其特征在于，包括： 基板； 有源层，设于所述基板上； 栅极绝缘组合，设于所述有源层和所述基板上； 层间介电层，设于所述栅极绝缘组合上，所述层间介电层设有第一过孔，且所述第一过孔穿透所述栅极绝缘组合暴露所述有源层的一部分； 第一金属层，设于所述层间介电层上，且所述第一金属层沉积在所述第一过孔中与所述有源层接触； 第一平坦层，所述第一平坦层覆盖所述第一金属层和所述层间介电层，所述第一平坦层设有第二过孔，且所述第二过孔暴露所述第一金属层的一部分； 第二金属层，设于所述第一平坦层上，且所述第二金属层沉积在所述第二过孔中与所述第一金属层接触； 电极绝缘组合，设于所述第二金属层和所述第一平坦层上； 第二平坦层，设于所述电极绝缘组合上，所述第二平坦层设有第三过孔，且所述第三过孔穿透所述电极绝缘组合暴露所述第二金属层的一部分； 像素阳极层，设于所述第二平坦层上，且所述像素阳极层沉积在所述第三过孔中与所述第二金属层接触； 所述电极绝缘组合包括： 第一电极绝缘层，覆盖所述第二金属层和所述第一平坦层上； 第一电极层，设于所述第一电极绝缘层上； 第二电极绝缘层，覆盖所述第一电极层和所述第一电极绝缘层，所述第二电极绝缘层设有第四过孔，且所述第四过孔穿透所述第一电极层和所述第一电极绝缘层暴露所述第二金属层的一部分； 第二电极层，设于所述第二电极绝缘层上，且所述第二电极层沉积在所述第四过孔中与所述第二金属层接触； 所述第二平坦层覆盖所述第一电极层、所述第一电极绝缘层、所述第二电极层和所述第二电极绝缘层，所述第三过孔穿透所述第一电极绝缘层和所述第二电极绝缘层暴露所述第二金属层的一部分； 所述第一电极层和所述第二电极层为ITO、IGZO、IZO、IGZTO中任一种，且屏下摄像头区域内设有所述第一电极层和所述第二电极层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：430079 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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