中国科学院金属研究所卢磊获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119296850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411383997.3，技术领域涉及：H01B5/14；该发明授权一种铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体是由卢磊;程钊;柳林海;陈祥成设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体在说明书摘要公布了：本发明提供一种铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体，涉及铜箔制备技术领域，铜箔的微观结构中含有纳米畴，纳米畴的分布状态为以下状态中的一种或几种：在晶粒内部、在晶界上、既存在于晶粒内部又存在于晶界上。一方面，这些纳米畴可有效地阻碍位错运动，提升位错储存能力，既提高了铜箔的强度又贡献了其延伸率；另一方面，这些纳米畴可阻碍晶界迁移，确保晶界稳定，稳定的晶界可以使晶粒细化至纳米量级，进一步提高了铜箔的强度。
本发明授权一种铜箔及其制备方法、以及电路板和集电体在权利要求书中公布了：1.一种铜箔，其特征在于，所述铜箔的微观结构中含有纳米畴，所述纳米畴的分布状态为以下状态中的一种或几种：在晶粒内部、在晶界上、既存在于晶粒内部又存在于晶界上； 所述纳米畴的尺寸为1-50nm；所述纳米畴的平均体积分数大于0.01%； 其中，所述纳米畴以低密度区和高密度区交替间隔分布；其中，所述低密度区的纳米畴的体积分数不高于所述平均体积分数，所述高密度区的纳米畴的体积分数高于所述平均体积分数。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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