北京理工大学冯广获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种高熵合金纳米花阵列、其制备方法和作为电极材料的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119307958B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-11-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411480405.X，技术领域涉及：C25B11/089；该发明授权一种高熵合金纳米花阵列、其制备方法和作为电极材料的应用是由冯广;李少波;黄志琦设计研发完成，并于2024-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高熵合金纳米花阵列、其制备方法和作为电极材料的应用在说明书摘要公布了：本发明属于高熵合金催化剂技术领域，特别是涉及一种高熵合金纳米花阵列、其制备方法和作为电极材料的应用。本发明所述的高熵合金纳米花阵列包含Co、Ni、Mo、Cu、Zn五种金属元素。所述的高熵合金纳米花阵列由多个二维纳米片组成，构建了具有较大比表面积的三维3D多孔纳米结构。本发明提供的上述材料制备简单、载量高、不涉及贵金属，成本低廉、高效稳定，可以作为析氢反应、肼氧化反应和肼氧化辅助制氢OHzS系统的电极。当其应用于OHzS系统时，仅需要0.260V和0.376V的电池电压即可分别达到500mAcm‑2和1000mAcm‑2的工业电流密度，显示出高效、低电压产氢的绝对优势，具有较高的实际应用价值。
本发明授权一种高熵合金纳米花阵列、其制备方法和作为电极材料的应用在权利要求书中公布了：1.一种高熵合金纳米花阵列材料，其特征在于，所述高熵合金纳米花阵列材料包含：泡沫钴基底和负载在所述泡沫钴基底上的高熵合金纳米花阵列，所述高熵合金纳米花阵列由Co、Ni、Mo、Zn、Cu五种金属元素组成； 所述高熵合金纳米花阵列中，Co原子、Ni原子、Mo原子、Zn原子和Cu原子所占的原子百分比均为0.5%~60%。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京理工大学，其通讯地址为：100081 北京市海淀区中关村南大街5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励